to220 купить оптом и в розницу

STP60NF06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 60А 110Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 16 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 73нКл Входная емкость: 1660пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

859 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 96,86₽

IRG4BC30UDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 12 А, 100 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 23 А Импульсный ток коллектора макс.: 92 А Макс. рассеиваемая мощность: 100 Вт Переключаемая энергия: 380 мкДж

Наличие:

35 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 1 009,11₽

TIP41C Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 6 А, 65 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 6 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 15 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 3 МГц

Наличие:

693 шт

Под заказ:

1 050 шт

Цена от:

от 32,66₽

TIP125 Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 60 В, 5 А, 65 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Тип транзистора: PNP, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 5 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 1000 Тип монтажа: Сквозной

Наличие:

425 шт

Под заказ:

279 шт

Цена от:

от 27,77₽

IRFB4229PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 46А 330Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 46A Сопротивление открытого канала: 46 мОм Мощность макс.: 330Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 4560пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

23 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 167,91₽

2SC4242 Биполярный транзистор, NPN, 450 В, 7 А, 40 Вт Производитель: Fujitsu Microelectronics Корпус: TO-220AB Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 450 В Ток коллектора Макс.: 7 А Мощность Макс.: 40 Вт

Наличие:

22 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 46,30₽

IRG4BC30UPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 12 А, 100 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 23 А Импульсный ток коллектора макс.: 92 А Макс. рассеиваемая мощность: 100 Вт Переключаемая энергия: 160 мкДж

Наличие:

22 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 157,79₽

IRF540ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 36А 92Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 36A Сопротивление открытого канала: 26.5 мОм Мощность макс.: 92Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 63нКл Входная емкость: 1770пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

492 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 58,32₽

IRL7833PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 150А, 140Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 150A Сопротивление открытого канала: 3.8 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В Заряд затвора: 47нКл Входная емкость: 4170пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

134 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 128,05₽

TIP50 Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 1 А, 40 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 400 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 30 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 10 МГц

Наличие:

318 шт

Под заказ:

20 шт

Цена от:

от 64,74₽

TIP107 Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 8 А, 80 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Тип транзистора: PNP, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 8 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 1000 Тип монтажа: Сквозной

Наличие:

12 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 83,67₽

BUL89 Биполярный транзистор, NPN, 850 В, 12 А, 110Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 400 В Ток коллектора Макс.: 12 А Мощность Макс.: 110 Вт Коэффициент усиления hFE: 10 Тип монтажа: Сквозной

Наличие:

5 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 126,31₽

TIP120 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 60 В, 5 А, 65 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 5 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 1000 Тип монтажа: Сквозной

Наличие:

4 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 66,34₽

TIP147T Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 5 А, 90 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Тип транзистора: PNP, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 10 А Мощность Макс.: 80 Вт Коэффициент усиления hFE: 1000 Тип монтажа: Сквозной

Наличие:

120 шт

Под заказ:

735 шт

Цена от:

от 152,86₽

2SC4106 Биполярный транзистор, NPN, 500 В, 7 А, 50 Вт Производитель: Sanyo Semiconductors Корпус: TO-220AB Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 500 В Ток коллектора Макс.: 7 А Мощность Макс.: 50 Вт

Наличие:

0 шт

Под заказ:

20 шт

Цена от:

от 192,37₽