to220

Фильтр
  • Спецпредложения
  • Новинки
to220 (1019)
SPA11N60C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11А 34Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220FP Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 380 мОм Мощность макс.: 33Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 1200пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
277 шт

Под заказ:
100 шт
Цена от:
от 229,44
LA5744 Преобразователь постоянного тока понижающий 1.23-24В/3А 300кГц Производитель: Sanyo Semiconductors Корпус: TO220_5
Наличие:
31 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 138,03
STP10NK70ZFP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 700В 8.6А 35Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220FP Напряжение исток-сток макс.: 700В Ток стока макс.: 8.6A Сопротивление открытого канала: 850 мОм Мощность макс.: 35Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 90нКл Входная емкость: 2000пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
224 шт

Под заказ:
220 шт
Цена от:
от 105,09
TK10A50D Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 10А 45Вт Производитель: Toshiba Semiconductor Корпус: TO-220F formed lead Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 10A Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал
Наличие:
389 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 33,14
STF3NK80Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 2.5А 25Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220FP Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 4.5 Ом Мощность макс.: 25Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 485пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
201 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 67,12
STP6NK60ZFP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6А 32Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220FP Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 46нКл Входная емкость: 905пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
0 шт

Под заказ:
4 975 шт
Цена от:
от 44,06
TK6A60D (STA4,Q,M) Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6А, 40Вт Производитель: Toshiba Semiconductor Корпус: TO-220SIS (SC-67) Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 1.25 Ом Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 16нКл Входная емкость: 800пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
501 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 61,97
2SK3568 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 12А 40Вт (рекомендуемая замена: TK12A50D) Производитель: Toshiba Semiconductor Корпус: TO-220SIS (SC-67) Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 12A Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал
Наличие:
247 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 106,23
MBR20100CT Диод Шоттки х2 100V 2x10A 0.85V общ. катод Производитель: YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO., LTD. Корпус: TO-220AB
Наличие:
2 992 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
8 161 шт
Цена от:
от 25,92
STP55NF06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 55А 150Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 18 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
1 612 шт

Под заказ:
655 шт
Цена от:
от 49,25
STP200NF04 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 120A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 3.7 мОм Мощность макс.: 310Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 210нКл Входная емкость: 5100пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
1 011 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 36,54
TIP32C Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 3 А, 40 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 3 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 10 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 3 МГц
Наличие:
1 528 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 31,48
T1235T-8T Симистор 800В 12А 35мА 3Q (бесснабберный) Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Triac Type: Alternistor - Snubberless Voltage - Off State: 800V Current - On State (It (RMS)) (Max): 12A Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.3V Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 90A, 95A Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 35mA Current - Hold (Ih) (Max): 40mA
Наличие:
263 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 39,46
2SC3150 Биполярный транзистор, NPN, 900 В, 3 А, 40 Вт Производитель: Noname Корпус: TO-220AB Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 900 В Ток коллектора Макс.: 3 А Мощность Макс.: 40 Вт
Наличие:
208 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 12,41
BT137-600D,127 Симистор 600В 8А 5мА 4Q Производитель: WeEn Semiconductors Корпус: TO-220AB Triac Type: Logic - Sensitive Gate Voltage - Off State: 600V Current - On State (It (RMS)) (Max): 8A Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.5V Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 65A, 71A Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 5mA Current - Hold (Ih) (Max): 10mA
Наличие:
928 шт

Под заказ:
1 220 шт
Цена от:
от 22,55