to220 купить оптом и в розницу

STP100NF04 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 120A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 4.6 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 150нКл Входная емкость: 5100пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

115 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 114,51₽

TIP42C Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 6 А, 60 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 6 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 15 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 3 МГц

Наличие:

1 446 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 32,46₽

MJE13009 Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 12 А, 100 Вт Производитель: Inchange Semiconductor Company Корпус: TO-220AB Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 400 В Ток коллектора Макс.: 12 А Мощность Макс.: 100 Вт

Наличие:

163 шт

Под заказ:

1 002 шт

Аналоги:

95 шт

Цена от:

от 59,11₽

2SC2979 Биполярный транзистор, NPN, 800 В, 3 А, 40 Вт Производитель: Hitachi Ltd. Корпус: TO-220AB Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 800 В Ток коллектора Макс.: 3 А Мощность Макс.: 40 Вт

Наличие:

67 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 58,38₽

TIP31C Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 3 А, 40 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 3 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 10 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 3 МГц

Наличие:

596 шт

Под заказ:

2 000 шт

Цена от:

от 26,11₽

TIP47 Биполярный транзистор, NPN, 250 В, 1 А, 40 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 250 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 30 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 10 МГц

Наличие:

2 636 шт

Под заказ:

40 шт

Цена от:

от 53,18₽

TIP142T Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 5 А, 90 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 10 А Мощность Макс.: 80 Вт Коэффициент усиления hFE: 1000 Тип монтажа: Сквозной

Наличие:

58 шт

Под заказ:

72 шт

Цена от:

от 127,32₽

STP140NF55 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 80А 300Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 8 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 142нКл Входная емкость: 5300пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

277 шт

Под заказ:

200 шт

Цена от:

от 72,54₽

ST13009 Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 12 А, 100 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 400 В Ток коллектора Макс.: 12 А Мощность Макс.: 100 Вт Коэффициент усиления hFE: 10 Тип монтажа: Сквозной

Наличие:

854 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 115,70₽

IRLZ24NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 18А 45Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 60 мОм Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 480пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

935 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 45,70₽

BT137-800E,127 Симистор 800В 8А 10мА 4Q Производитель: WeEn Semiconductors Корпус: TO-220AB Triac Type: Logic - Sensitive Gate Voltage - Off State: 800V Current - On State (It (RMS)) (Max): 8A Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.5V Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 65A, 71A Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 10mA Current - Hold (Ih) (Max): 20mA

Наличие:

180 шт

Под заказ:

5 000 шт

Цена от:

от 25,93₽

BYV32E-200,127 Диод выпрямительный сборка 200В 20А Производитель: WeEn Semiconductors Корпус: TO-220AB Тип Диода: стандартный Максимальное обратное напряжение, В: 200 Средний прямой ток, А: 20 Максимальное прямое напряжение, В: 1.15 Быстродействие, нс: 500 Время восстановления, нс: 25 Обратный ток утечки, мкА: 30 Тип монтажа: в отверстие

Наличие:

665 шт

Под заказ:

171 шт

Цена от:

от 41,45₽

IRFB33N15DPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 33А 3.8Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 33A Сопротивление открытого канала: 56 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В Заряд затвора: 90нКл Входная емкость: 2020пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

43 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 180,05₽

STP14NK50Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 14А 150Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 380 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 92нКл Входная емкость: 2000пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

192 шт

Под заказ:

394 шт

Цена от:

от 108,57₽

STP9NK50Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 7.2А, 110Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 7.2A Сопротивление открытого канала: 850 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 32нКл Входная емкость: 910пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

264 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 72,65₽