Полевые транзисторы

Новинки

Новинка
IPB010N06NATMA1
Наличие:
0 шт
Под заказ:
500 шт
Цена от: 547,86
Новинка
STT6N3LLH6
Наличие:
913 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от: 40,27
Новинка
STW11NK90Z
Наличие:
298 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от: 167,07
Новинка
IPD70R900P7SAUMA1
Наличие:
450 шт
Под заказ:
2 300 шт
Цена от: 38,43
Новинка
AUIRFR4615TRL
Наличие:
288 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от: 222,16
Новинка
AUIRLR120NTRL
Наличие:
196 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от: 162,94
Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
(7771)
Акция FDP18N50 Транзистор полевой N-канальный 500В 18А 235Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 265 мОм Мощность макс.: 235Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 2860пФ Тип монтажа: Through Hole
FDP20N50 Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 20 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 230 мОм Мощность макс.: 250Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 59.5нКл Входная емкость: 3120пФ Тип монтажа: Through Hole
FDP22N50N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 22A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 22A Сопротивление открытого канала: 220 мОм Мощность макс.: 312.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 65нКл Входная емкость: 3200пФ Тип монтажа: Through Hole
FDP24N40 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 24A TO-220 Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 24A(Tc) Сопротивление открытого канала: 175 мОм @ 12А, 10В Мощность макс.: 227Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 60нКл @ 10В Входная емкость: 3020пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
FDP2532 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 79A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 8A(Ta),79A(Tc) Сопротивление открытого канала: 16 мОм @ 33А, 10В Мощность макс.: 310Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 107нКл @ 10В Входная емкость: 5870пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
FDP2552 Транзистор полевой N-канальный 150В 37A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 36 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 51нКл Входная емкость: 2800пФ Тип монтажа: Through Hole
FDP2572 Транзистор полевой N-канальный 150В 29A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 54 мОм Мощность макс.: 135Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 34нКл Входная емкость: 1770пФ Тип монтажа: Through Hole
FDP26N40 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 26A TO-220 Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 26А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Through Hole
FDP2710 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 50A TO-220 Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 50A(Tc) Сопротивление открытого канала: 42.5 мОм @ 25А, 10В Мощность макс.: 260Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 101нКл @ 10В Входная емкость: 7280пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
FDP33N25 Транзистор полевой N-канальный 250В 33A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 33A Сопротивление открытого канала: 94 мОм Мощность макс.: 235Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 48нКл Входная емкость: 2135пФ Тип монтажа: Through Hole
FDP3632 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 80A TO-220AB Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 12A(Ta),80A(Tc) Сопротивление открытого канала: 9 мОм @ 80А, 10В Мощность макс.: 310Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 110нКл @ 10В Входная емкость: 6000пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
FDP3651U Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 80A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 18 мОм Мощность макс.: 255Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В Заряд затвора: 69нКл Входная емкость: 5522пФ Тип монтажа: Through Hole
FDP3652 Транзистор полевой N-канальный 100В 61A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 16 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 53нКл Входная емкость: 2880пФ Тип монтажа: Through Hole
FDP3672 Транзистор полевой N-канальный 105В 41A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 105В Ток стока макс.: 5.9A Сопротивление открытого канала: 33 мОм Мощность макс.: 135Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 37нКл Входная емкость: 1670пФ Тип монтажа: Through Hole
FDP3682 Транзистор полевой N-канальный 100В 32A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 36 мОм Мощность макс.: 95Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 28нКл Входная емкость: 1250пФ Тип монтажа: Through Hole
FDP42AN15A0 Транзистор полевой N-канальный 150В 35A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 42 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 39нКл Входная емкость: 2150пФ Тип монтажа: Through Hole
FDP51N25 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 51A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 51A Сопротивление открытого канала: 60 мОм Мощность макс.: 320Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 70нКл Входная емкость: 3410пФ Тип монтажа: Through Hole
FDP52N20 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 52А 357Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 52A Сопротивление открытого канала: 49 мОм Мощность макс.: 357Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 63нКл Входная емкость: 2900пФ Тип монтажа: Through Hole
FDP55N06 Транзистор полевой N-канальный 60В 55A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 55A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 114Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 37нКл Входная емкость: 1510пФ Тип монтажа: Through Hole
FDP5800 Транзистор полевой N-канальный 60В 14A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 6 мОм Мощность макс.: 242Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 145нКл Входная емкость: 9160пФ Тип монтажа: Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы

Полевые транзисторы (другое название — униполярные) — это полупроводниковые приборы, которые работают на базе управления электрическим сопротивлением токопроводящего канала поперечным электрическим полем, создаваемым приложенным к затвору напряжением. Области использования полевых транзисторов чрезвычайно широки — аналоговые и цифровые интегральные схемы, электронных часах, пультах дистанционного управления и так далее.

Выбор транзистора

Транзисторы всегда выбирают в соответствии с их видами и характеристиками. Для этого используют справочники, дополнительную литературу или интернет-ресурсы. Полевые транзисторы делятся на две подтипа — с управляющим p-n переходом, а также с изолированным затвором. Каждый из них делится еще на ряд подтипов. Их вы можете недорого купить у группы компаний «Промэлектроника». Всю необходимую информацию и характеристики вы найдете в каталоге на официальном сайте предприятия.

Преимущества компании

Группа компаний «Промэлектроника» выделяется среди конкурентов наличием большого количества преимуществ, которые стали результатом ее работы на рынке разработки и реализации товаров для электротехники с 1993 года. Итак, к преимуществам относится:

  • большой выбор товаров для электротехники и электроники, запасные части, комплектующие и прочее;
  • наличие собственного большого склада, что обеспечивает постоянное наличие необходимой продукции;
  • возможность торговли товарами оптом и в розницу;
  • различные формы оплаты;
  • консультации на предмет выбора необходимого вам оборудования;
  • доставка покупок по территории Российской Федерации;
  • низкие цены.

Чтобы подробно ознакомиться с представленными товарами, пожалуйста, перейдите в каталог. В случае возникновения вопросов обращайтесь к менеджерам.

Цена на Полевые транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Полевые транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Полевые транзисторы - от 4.22 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Полевые транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку во все регионы России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Полевые транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"