Полевые транзисторы

Новинки

Новинка
IPB010N06NATMA1
Наличие:
0 шт
Под заказ:
500 шт
Цена от: 547,86
Новинка
STT6N3LLH6
Наличие:
913 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от: 40,27
Новинка
STW11NK90Z
Наличие:
298 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от: 167,07
Новинка
IPD70R900P7SAUMA1
Наличие:
450 шт
Под заказ:
2 300 шт
Цена от: 38,43
Новинка
AUIRFR4615TRL
Наличие:
288 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от: 222,16
Новинка
AUIRLR120NTRL
Наличие:
196 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от: 162,94
Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
(7771)
Акция FDN357N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 1.9А 0.5Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: 3-SSOT Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 1.9A Сопротивление открытого канала: 60 мОм Мощность макс.: 460мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 5.9нКл Входная емкость: 235пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDN358P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 1.5А 0.5Вт, 0.06 Ом Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 (SuperSOT-3) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 1.5A Сопротивление открытого канала: 125 мОм Мощность макс.: 460мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 5.6нКл Входная емкость: 182пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDN359AN Транзистор полевой N-канальный 30В 2.7A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 2.7A Сопротивление открытого канала: 46 мОм Мощность макс.: 460мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 7нКл Входная емкость: 480пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDN359BN Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 2.7 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 2.7A Сопротивление открытого канала: 46 мОм Мощность макс.: 460мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 7нКл Входная емкость: 650пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDN360P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 2А 0.08 Ом, 0.5Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 (SuperSOT-3) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 2A Сопротивление открытого канала: 80 мОм Мощность макс.: 460мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 9нКл Входная емкость: 298пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDN361BN Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 1.4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 1.4A Сопротивление открытого канала: 110 мОм Мощность макс.: 460мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 1.8нКл Входная емкость: 193пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDN5618P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 1.25А 0.17 Ом, 0.5Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 (SuperSOT-3) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 1.25A Сопротивление открытого канала: 170 мОм Мощность макс.: 460мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 13.8нКл Входная емкость: 430пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
8 951 шт
Цена от:
от 7,28
FDN5630 Транзистор полевой N-канальный 60В 1.7A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 (SuperSOT-3) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 1.7A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 460мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 10нКл Входная емкость: 400пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция FDN5630 Транзистор полевой N-канальный 60В 4А 1.66Вт Производитель: UMW Youtai Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: Мощность макс.: 1.66Вт Тип транзистора: N-канальный
FDN5632N_F085 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 1.7 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 1.7A Сопротивление открытого канала: 82 мОм Мощность макс.: 1.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 475пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDN8601 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 2.7 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 2.7A Сопротивление открытого канала: 109 мОм Мощность макс.: 600мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 5нКл Входная емкость: 210пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDN86246 Транзистор полевой N-канальный 150В 1.6A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 1.6A Сопротивление открытого канала: 261 мОм Мощность макс.: 600мВт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 5нКл Входная емкость: 225пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDP020N06B_F102 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 120 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 2 мОм Мощность макс.: 333Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 268нКл Входная емкость: 20930пФ Тип монтажа: Through Hole
FDP025N06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 2.5 мОм Мощность макс.: 395Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 226нКл Входная емкость: 14885пФ Тип монтажа: Through Hole
FDP027N08B-F102 Транзистор полевой MOSFET N-канальный Si 80В 223A 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба Производитель: ON Semiconductor Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 23А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Through Hole
FDP030N06 Транзистор полевой N-канальный 60В 120A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 3.2 мОм Мощность макс.: 231Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 151нКл Входная емкость: 9815пФ Тип монтажа: Through Hole
FDP030N06B_F102 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 120 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 3.1 мОм Мощность макс.: 205Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 99нКл Входная емкость: 8030пФ Тип монтажа: Through Hole
FDP032N08 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 3.2 мОм Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 220нКл Входная емкость: 15160пФ Тип монтажа: Through Hole
FDP036N10A Полевой транзистор, N-канальный, 100 В Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 3.6 мОм Мощность макс.: 227Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 116нКл Входная емкость: 7295пФ Тип монтажа: Through Hole
FDP038AN06A0 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 80A TO-220AB Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 80А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы

Полевые транзисторы (другое название — униполярные) — это полупроводниковые приборы, которые работают на базе управления электрическим сопротивлением токопроводящего канала поперечным электрическим полем, создаваемым приложенным к затвору напряжением. Области использования полевых транзисторов чрезвычайно широки — аналоговые и цифровые интегральные схемы, электронных часах, пультах дистанционного управления и так далее.

Выбор транзистора

Транзисторы всегда выбирают в соответствии с их видами и характеристиками. Для этого используют справочники, дополнительную литературу или интернет-ресурсы. Полевые транзисторы делятся на две подтипа — с управляющим p-n переходом, а также с изолированным затвором. Каждый из них делится еще на ряд подтипов. Их вы можете недорого купить у группы компаний «Промэлектроника». Всю необходимую информацию и характеристики вы найдете в каталоге на официальном сайте предприятия.

Преимущества компании

Группа компаний «Промэлектроника» выделяется среди конкурентов наличием большого количества преимуществ, которые стали результатом ее работы на рынке разработки и реализации товаров для электротехники с 1993 года. Итак, к преимуществам относится:

  • большой выбор товаров для электротехники и электроники, запасные части, комплектующие и прочее;
  • наличие собственного большого склада, что обеспечивает постоянное наличие необходимой продукции;
  • возможность торговли товарами оптом и в розницу;
  • различные формы оплаты;
  • консультации на предмет выбора необходимого вам оборудования;
  • доставка покупок по территории Российской Федерации;
  • низкие цены.

Чтобы подробно ознакомиться с представленными товарами, пожалуйста, перейдите в каталог. В случае возникновения вопросов обращайтесь к менеджерам.

Цена на Полевые транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Полевые транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Полевые транзисторы - от 4.22 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Полевые транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку во все регионы России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Полевые транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"