Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
IRLML6302GTRPBF
Полевой транзистор P-канальный -20В -0.78A SOT-23
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: SOT23-3
IRLML6401
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 4.3А 1.3Вт
Производитель: Huashuo Semiconductor
Корпус: SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.: 12В
Ток стока макс.: 4.3А
Мощность макс.: 1.3Вт
Тип транзистора: P-канальный
Тип монтажа: Surface Mount
IRLML6401GTRPBF
Полевой транзистор P-канальный 12В 4.3A SOT-23-3
Производитель: Hottech Co. Ltd
Корпус: SOT23-3
IRLML6402
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 3.7A SOT-23-3
Производитель: Huashuo Semiconductor
Корпус: SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 3.7А
Тип транзистора: P-канальный
Тип монтажа: Surface Mount
IRLML6402GTRPBF
MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23-3
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: SOT23-3
IRLML6402TRPBF
Транзистор полевой P-канальный 20В 3.7А 1.3Вт
Производитель: Hottech Co. Ltd
Корпус: SOT23-3
IRLMS5703TRPBF
Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 2.4 А
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: Micro6[тм](TSOP-6)
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 2.4A
Сопротивление открытого канала: 180 мОм
Мощность макс.: 1.7Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1В
Заряд затвора: 11нКл
Входная емкость: 170пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRLR014PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 7.7A
Производитель: Vishay
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 7.7A
Сопротивление открытого канала: 200 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 8.4нКл
Входная емкость: 400пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRLR014TRLPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 7.7 А
Производитель: Vishay
Корпус: DPAK/TO-252AA
IRLR014TRPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 7.7 А
Производитель: Vishay
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 7.7A
Сопротивление открытого канала: 200 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 8.4нКл
Входная емкость: 400пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRLR024NPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 17А 38Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 17A
Сопротивление открытого канала: 65 мОм
Мощность макс.: 45Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 15нКл
Входная емкость: 480пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRLR024NTRLPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 17A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 17A
Сопротивление открытого канала: 65 мОм
Мощность макс.: 45Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 15нКл
Входная емкость: 480пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRLR024NTRRPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 17A DPAK
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 17A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 65 мОм @ 10А, 10В
Мощность макс.: 45Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В @ 250 µA
Заряд затвора: 15нКл @ 5В
Входная емкость: 480пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
IRLR024PBF
Транзистор полевой N-канальный 60В 14A
Производитель: Vishay
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 14A
Сопротивление открытого канала: 100 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 18нКл
Входная емкость: 870пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRLR024TRPBF
Транзистор полевой N-канальный 60В 14A
Производитель: Vishay
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 14A
Сопротивление открытого канала: 100 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 18нКл
Входная емкость: 870пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRLR110PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 4.3А 25Вт
Производитель: Vishay
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 4.3A
Сопротивление открытого канала: 540 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 6.1нКл
Входная емкость: 250пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRLR110TRLPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 4.3A
Производитель: Vishay
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 4.3A
Сопротивление открытого канала: 540 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 6.1нКл
Входная емкость: 250пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRLR110TRPBF
Транзистор полевой N-канальный 100В 4.3А 25Вт
Производитель: Vishay
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 4.3A
Сопротивление открытого канала: 540 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 6.1нКл
Входная емкость: 250пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRLR120NPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 10А 48Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 10A
Сопротивление открытого канала: 185 мОм
Мощность макс.: 48Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 20нКл
Входная емкость: 440пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRLR120NTRLPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 10A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 10A
Сопротивление открытого канала: 185 мОм
Мощность макс.: 48Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 20нКл
Входная емкость: 440пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.