Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1889)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (6837)

IRL640PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 17А, 125Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 66нКл Входная емкость: 1800пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRL640SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 17А 3.1Вт, 0.18 Ом Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 66нКл Входная емкость: 1800пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRL640STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 17А 3.1Вт Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 66нКл Входная емкость: 1800пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRL640STRRPBF Транзистор полевой N-канальный 200В 17A Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 66нКл Входная емкость: 1800пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRL7472L1TRPBF Транзистор полевой N-канальный 40В 68A 15-Pin Direct-FET L8 лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 68A Тип транзистора: N-канал

Сообщить о поступлении

IRL7833SPBF Транзистор полевой N-канальный 30В 150A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 150A Сопротивление открытого канала: 3.8 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В Заряд затвора: 47нКл Входная емкость: 4170пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRL7833STRLPBF Транзистор полевой N-канальный 30В 150A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 150A Сопротивление открытого канала: 3.8 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В Заряд затвора: 47нКл Входная емкость: 4170пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRL8113PBF Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 105 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 105A Сопротивление открытого канала: 6 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.25В Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 2840пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRL8113SPBF Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 105 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 105A Сопротивление открытого канала: 6 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.25В Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 2840пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRL8113STRLPBF Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 105 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263

Сообщить о поступлении

IRLB8314PBF Транзистор HEXFET N-канал 30В 184A [TO-220] Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 130A(Tc) Сопротивление открытого канала: 2.4 мОм @ 68А, 10В Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В @ 100 µA Заряд затвора: 60нКл @ 4.5В Входная емкость: 5050пФ @ 15В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRLD014PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 1.7A Производитель: Vishay Корпус: HVMDIP-4 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 1.7A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 8.4нКл Входная емкость: 400пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRLD024PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.5А 1.3Вт, 0.1 Ом Производитель: Vishay Корпус: HVMDIP-4 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 870пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRLD110PBF Транзистор полевой N-канальный 100В 1A Производитель: Vishay Корпус: DIP-4 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 1A Сопротивление открытого канала: 540 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 6.1нКл Входная емкость: 250пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRLD120PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.3A Производитель: Vishay Корпус: HVMDIP-4 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 1.3A Сопротивление открытого канала: 270 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 490пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRLH5030TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 13A Производитель: Infineon Technologies Корпус: PQFN (5x6) Single Die Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 9 мОм Мощность макс.: 3.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 94нКл Входная емкость: 5185пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRLHM620TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 26A PQFN Производитель: Infineon Technologies Корпус: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 26А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRLHM630TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 21A Производитель: Infineon Technologies Корпус: PQFN (3x3) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 3.5 мОм Мощность макс.: 2.7Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В Заряд затвора: 62нКл Входная емкость: 3170пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRLHS6376TRPBF Полевой транзистор 2N-канальный 30В 3.6A PQFN Производитель: Infineon Technologies Корпус: PQFN6-(2x2) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 3.6A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRLI2910PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 31А, 48Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 31A Сопротивление открытого канала: 26 мОм Мощность макс.: 63Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 140нКл Входная емкость: 3700пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"