to220 купить оптом и в розницу

IRLB3813PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 260А 230Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 260A Сопротивление открытого канала: 1.95 мОм Мощность макс.: 230Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В Заряд затвора: 86нКл Входная емкость: 8420пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

337 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 109,33₽

IRFB4710PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 75А 200Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 75A Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

791 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 139,37₽

AUIRF4905 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 74A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 74A Сопротивление открытого канала: 20 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 180нКл Входная емкость: 3400пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

83 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 313,26₽

IRFB7530PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 195A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 195A Сопротивление открытого канала: 2 мОм Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В Заряд затвора: 411нКл Входная емкость: 13703пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

179 шт

Под заказ:

280 шт

Цена от:

от 161,38₽

IRFB31N20DPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 31A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 31A Сопротивление открытого канала: 82 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В Заряд затвора: 107нКл Входная емкость: 2370пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

134 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 227,95₽

STTH1502DI Диод импульсный 200В 15А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AC Тип диода: стандартный Максимальное обратное напряжение (Vr): 200В Средний прямой ток (Io): 15A Максимальное прямое напряжение (Vf) при токе If: 1.1В при 15A Быстродействие: повышенное, =< 500нс, при токе > 200мА Время восстановления (trr): 36нс Ток утечки при Vr: 10 мкА при 200В

Наличие:

497 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 164,86₽

LD1084V Регулируемый стабилизатор с низким падением напряжения положительной полярности, 5 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Тип стабилизатора: Positive Adjustable Выходное напряжение: Adjustable Выходной ток: 5A Максимальное входное напряжение: 30V

Наличие:

2 778 шт

Под заказ:

40 шт

Цена от:

от 146,43₽

TIP102 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 8 А, 80 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 8 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 1000 Тип монтажа: Сквозной

Наличие:

317 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 113,49₽

IRFB4310PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 130А 300Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 130A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 250нКл Входная емкость: 7670пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

409 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 144,01₽

D44H11 Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 10 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 10 А Мощность Макс.: 60 Вт Коэффициент усиления hFE: 40 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 50 МГц

Наличие:

559 шт

Под заказ:

50 шт

Цена от:

от 81,25₽

IRLB4030PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 180А 370Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 180A Сопротивление открытого канала: 4.3 мОм Мощность макс.: 370Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 11360пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

46 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 354,78₽

HFA15TB60PBF Диод импульсный 600В 15А 60нс Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AC

Наличие:

916 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 113,52₽

IRFB7534PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 195А 294Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 195A Сопротивление открытого канала: 2.4 мОм Мощность макс.: 294Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В Заряд затвора: 279нКл Входная емкость: 10034пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

577 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 97,04₽

IRFB7545PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 95A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 95A Сопротивление открытого канала: 5.9 мОм Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 4010пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

43 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 55,42₽

IRGB4056DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 24 А, 140 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 24 А Импульсный ток коллектора макс.: 48 А Макс. рассеиваемая мощность: 140 Вт Переключаемая энергия: 75 мкДж

Наличие:

92 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 300,50₽