to220

Фильтр
  • Спецпредложения
  • Новинки
to220 (1023)
MBR20100CT Диод Шоттки х2 100V 2x10A 0.85V общ. катод Производитель: Galaxy Microelectronics Co.,Ltd Корпус: TO-220AB
Наличие:
154 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
18 008 шт
Цена от:
от 23,55
BTB06-600TRG Симистор 600В 6А 5мА 4Q (логический уровень) Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Triac Type: Logic - Sensitive Gate Voltage - Off State: 600V Current - On State (It (RMS)) (Max): 6A Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.3V Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 60A, 63A Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 5mA Current - Hold (Ih) (Max): 10mA
Наличие:
150 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 32,79
MBR20150CT Диод Шоттки х2 150V 2х10А 0.95V общ. катод Производитель: Galaxy Microelectronics Co.,Ltd Корпус: TO-220AB
Наличие:
119 шт

Под заказ:
4 350 шт
Цена от:
от 20,71
IRFB3256PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 75A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 3.4 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 195нКл Входная емкость: 6600пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
94 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 83,63
IRFB4410ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 97А 230Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 97A Сопротивление открытого канала: 9 мОм Мощность макс.: 230Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 120нКл Входная емкость: 4820пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
1 526 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 46,64
L7815ACV Линейный стабилизатор с низким падением напряжения положительной полярности, 15 В, 1.5 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Тип стабилизатора: Positive Fixed Выходное напряжение: 15V Выходной ток: 1.5A Максимальное входное напряжение: 35V
Наличие:
1 088 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 34,84
IRF1310NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 42A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 42A Сопротивление открытого канала: 36 мОм Мощность макс.: 160Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 1900пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
652 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 90,20
MBR15100CT Диод Шоттки х2 100V 2x7.5A 0.8V общ. катод Производитель: Galaxy Microelectronics Co.,Ltd Корпус: TO-220AB
Наличие:
83 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 20,91
STTH1210D Диод импульсный 1000V 12А 48нс Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AC Тип диода: стандартный Максимальное обратное напряжение (Vr): 1000В (1кВ) Средний прямой ток (Io): 12A Максимальное прямое напряжение (Vf) при токе If: 2В при 12A Быстродействие: повышенное, =< 500нс, при токе > 200мА Время восстановления (trr): 90нс Ток утечки при Vr: 10 мкА при 1000В
Наличие:
110 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 153,07
IRFB7540PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 110A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 110A Сопротивление открытого канала: 5.1 мОм Мощность макс.: 160Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 4555пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
118 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 54,41
BTA204-800E,127 Симистор 800В 4А 10мА 3Q (логический уровень) Производитель: WeEn Semiconductors Корпус: TO-220AB Triac Type: Logic - Sensitive Gate Voltage - Off State: 800V Current - On State (It (RMS)) (Max): 4A Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.5V Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 25A, 27A Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 10mA Current - Hold (Ih) (Max): 12mA
Наличие:
112 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 73,05
IRF1404ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 75А 200Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 3.7 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 150нКл Входная емкость: 4340пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
579 шт

Под заказ:
4 390 шт
Цена от:
от 70,67
STP6N80K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 4.5A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 4.5A(Tc) Сопротивление открытого канала: 1.6 Ом @ 2А, 10В Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 100 µA Заряд затвора: 7.5нКл @ 10В Входная емкость: 255пФ @ 100В Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
63 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 82,03
IRFB3206PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120А 300Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 3 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 170нКл Входная емкость: 6540пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
922 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 67,49
T410-600T Симистор 600В 4А 10мА 3Q (логический уровень) Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Triac Type: Logic - Sensitive Gate Voltage - Off State: 600V Current - On State (It (RMS)) (Max): 4A Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.3V Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 30A, 31A Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 10mA Current - Hold (Ih) (Max): 15mA
Наличие:
59 шт

Под заказ:
100 шт
Цена от:
от 37,60