sot23

Фильтр
  • Спецпредложения
  • Новинки
sot23 (1028)
PDTA143ZT,215 Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 180 МГц, 4.7 кОм+47 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 250mW Сопротивление резистора базы R1: 4.7k Сопротивление резистора Э-База R2: 47k
Наличие:
48 502 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 1,90
BCX41E6327HTSA1 Биполярный транзистор, NPN, 125 В, 0.8 А, 0.33Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-23 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 125 В Ток коллектора Макс.: 0.8 А
Наличие:
21 739 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 8,04
BAR43CFILM Диод Шоттки х2 30V 0.1 А 1V общ. катод Производитель: ST Microelectronics Корпус: SOT-23
Наличие:
13 792 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 5,09
BFR92PE6327HTSA1 Биполярный транзистор NPN 15В 45мА 280мВт Кус 70-140 5ГГц Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-23 Тип транзистора: NPN Напряжение КЭ Макс.: 15V Ток коллектора Макс.: 45mA Мощность Макс.: 280mW Граничная частота: 5GHz
Наличие:
7 931 шт

Под заказ:
5 000 шт
Цена от:
от 7,13
BFN27E6327HTSA1 Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.2 А, 0.36 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-23 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 300 В Ток коллектора Макс.: 0.2 А Мощность Макс.: 0.36 Вт
Наличие:
4 824 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 13,28
BCW33,215 Биполярный транзистор, NPN, 32 В, 0.1 А, 0.25 Вт Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 32 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 250 мВт Коэффициент усиления hFE: 420 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
Наличие:
6 724 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 4,19
PDTC114YT,215 Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 230 МГц, 10 кОм+47 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 250mW Сопротивление резистора базы R1: 10k Сопротивление резистора Э-База R2: 47k
Наличие:
60 295 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 1,70
PDTA144ET,215 Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 180 МГц, 47 кОм+47 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 250mW Сопротивление резистора базы R1: 47k Сопротивление резистора Э-База R2: 47k
Наличие:
7 925 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 2,01
PDTC123ET,215 Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 2.2 кОм+2.2 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 250mW Сопротивление резистора базы R1: 2.2k Сопротивление резистора Э-База R2: 2.2k
Наличие:
24 751 шт

Под заказ:
200 шт
Цена от:
от 2,27
BC857C,215 Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.1 А, 0.25 Вт Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 250 мВт Коэффициент усиления hFE: 420 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
Наличие:
2 217 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
197 907 шт
Цена от:
от 1,36
BCR555E6327HTSA1 Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.5 А, 0.33 Вт, 150 МГц, 2.2 кОм+10 кОм Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-23 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 330mW Сопротивление резистора базы R1: 2.2k Сопротивление резистора Э-База R2: 10k
Наличие:
2 239 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 12,10
KTC8050S-D-RTK/P Биполярный транзистор, NPN, 35 В, 0.8 А, 0.625 Вт Производитель: Korea Electronics Корпус: SOT-23
Наличие:
8 908 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 1,43
BSS126H6327 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 0,021А 0.5Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 021A Мощность макс.: 0.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive
Наличие:
6 488 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 16,63
PDTC114ET,215 Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 230 МГц, 10 кОм+10 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 250mW Сопротивление резистора базы R1: 10k Сопротивление резистора Э-База R2: 10k
Наличие:
5 876 шт

Под заказ:
38 148 шт
Цена от:
от 1,19
PDTC123JT,215 Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 230 МГц, 2.2 кОм+47 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 250mW Сопротивление резистора базы R1: 2.2k Сопротивление резистора Э-База R2: 47k
Наличие:
7 000 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 2,36