sot23

Фильтр
  • Спецпредложения
  • Новинки
sot23 (1028)
BCR108E6327HTSA1 Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 170 МГц, 2.2 кОм+47 кОм Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-23
Наличие:
18 016 шт

Под заказ:
900 шт
Цена от:
от 6,24
BCR158E6327HTSA1 Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 200 МГц, 2.2 кОм+47 кОм Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-23 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 200mW Сопротивление резистора базы R1: 2.2k Сопротивление резистора Э-База R2: 47k
Наличие:
10 550 шт

Под заказ:
12 000 шт
Цена от:
от 9,20
BCV72,215 Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 0.1 А, 0.25 Вт Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 250 мВт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
Наличие:
5 887 шт

Под заказ:
4 379 шт
Цена от:
от 2,94
BCV47E6327HTSA1 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 60 В, 0.8 А, 0.36 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-23 Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 0.5 А Мощность Макс.: 360 мВт Тип монтажа: Поверхностный
Наличие:
5 691 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
5 765 шт
Цена от:
от 8,13
BC858C Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 0.1 А Производитель: Galaxy Microelectronics Co.,Ltd Корпус: SOT-23 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30 В
Наличие:
193 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
7 511 шт
Цена от:
от 0,94
NX7002AK,215 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 190мА Сопротивление открытого канала: 4.5 Ом Мощность макс.: 265мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В Заряд затвора: 0.43нКл Входная емкость: 17пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
15 181 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 1,14
STR2550 Биполярный транзистор, PNP, 500 В, 0.5 А, 0.5W Производитель: ST Microelectronics Корпус: SOT-23 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 500 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 500 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный
Наличие:
1 628 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 27,47
BSH108,215 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 1.9А 0.83Вт Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 1.9A Сопротивление открытого канала: 120 мОм Мощность макс.: 830мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 10нКл Входная емкость: 190пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
963 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 12,07
BC847B Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А, 0,25 Вт Производитель: Galaxy Microelectronics Co.,Ltd Корпус: SOT-23 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 250 мВт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
Наличие:
153 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
333 414 шт
Цена от:
от 1,36
PDTC114TT,215 Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 10 кОм+ Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 250mW Сопротивление резистора базы R1: 10k
Наличие:
12 150 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 2,65
PMV45EN2R Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 5.1A Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 5.1A Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive
Наличие:
1 640 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 13,32
BAS70-04,215 Диод Шоттки х2 70V 0.07A 0.41V послед. соед. Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23
Наличие:
7 260 шт

Под заказ:
12 937 шт
Аналоги:
48 127 шт
Цена от:
от 1,77
BCR505E6327 Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.5 А, 0.33 Вт, 100 МГц, 2.2 кОм+10 кОм Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-23 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 330mW Сопротивление резистора базы R1: 2.2k Сопротивление резистора Э-База R2: 10k
Наличие:
2 408 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 31,38
PDTC143XT,215 Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 230 МГц, 4.7 кОм+10 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 250mW Сопротивление резистора базы R1: 4.7k Сопротивление резистора Э-База R2: 10k
Наличие:
10 281 шт

Под заказ:
90 000 шт
Цена от:
от 2,06
MMUN2211 Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 10 кОм+10 кОм Производитель: SHIKUES Корпус: SOT-23
Наличие:
122 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
16 260 шт
Цена от:
от 1,38