Главная
Результаты поиска "infineon"

infineon

Показывать:

Все

В наличии

В Розничном магазине. Екатеринбург, ул. Колмогорова 70

infineon (1389)

IR2233JPBF Драйвер трехфазный мостовой. Тс = 250нс, Uсм=1200В, Iвых=0.2/0.42A, Uвых=12/20В, t(on/off)= 0.75/0.7мкс Производитель: Infineon Technologies Корпус: PLCC44

Наличие:

0 шт

Под заказ:

80 шт

Аналоги:

215 шт

Цена от:

от 1 935,05₽

IRFI4227PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 47А 46Вт, 0.021 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 26A Сопротивление открытого канала: 25 мОм Мощность макс.: 46Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 4600пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

394 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 299,53₽

FF100R12RT4HOSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 100 А, 555 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: AG-34MM

Наличие:

22 шт

Под заказ:

20 шт

Цена от:

от 6 328,90₽

FP25R12W2T4BOMA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 25A, 175Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: EasyPIM™ 2B Напряжение коллектор-эмиттер: 1200В Ток коллектора: 25А

Наличие:

8 шт

Под заказ:

40 шт

Цена от:

от 3 535,70₽

FP35R12W2T4BOMA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 35A Производитель: Infineon Technologies Корпус: AG-EASY2B Напряжение коллектор-эмиттер: 1200В Ток коллектора: 35А

Наличие:

84 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 4 704,73₽

BSM50GX120DN2BOSA1 Биполярный транзистор IGBT Производитель: Infineon Technologies Напряжение коллектор-эмиттер: 1200В Ток коллектора: 80А Максимальная мощность: 360 Вт

Наличие:

8 шт

Под заказ:

10 шт

Цена от:

от 13 659,78₽

FF200R12KE3HOSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 200 А, 1050Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: 62 mm

Наличие:

2 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 11 732,50₽

FF300R12KE3HOSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 300 А, 1450Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: 62 mm

Наличие:

40 шт

Под заказ:

20 шт

Цена от:

от 14 060,80₽

FF400R12KE3HOSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 400 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: 62 mm

Наличие:

50 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 14 060,79₽

IRLU8743PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 160А 135Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 160A Сопротивление открытого канала: 3.1 мОм Мощность макс.: 135Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В Заряд затвора: 59нКл Входная емкость: 4880пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

319 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 111,46₽

FF300R12ME4BOSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 300А Производитель: Infineon Technologies Корпус: ECONOD-3 Напряжение коллектор-эмиттер: 1200В

Наличие:

0 шт

Под заказ:

10 шт

Цена от:

от 18 623,05₽

IHW30N160R2FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1600 В, 30 А, 310 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1600V Макс. ток коллектора: 30A Макс. рассеиваемая мощность: 310W

Наличие:

82 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 1 808,58₽

IR2128SPBF Драйвер MOSFET токочувствительный 8SOIC Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Конфигурация: High or Low Side Тип входа: Inverting Время задержки: 200ns Пиковый ток: 250mA Число выходов: 1 Напряжение питания: 12 V ~ 20 V

Наличие:

114 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 244,09₽

IRG7PH35UPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 55 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 55 А Импульсный ток коллектора макс.: 60 А Макс. рассеиваемая мощность: 210 Вт Переключаемая энергия: 1.06 мДж

Наличие:

117 шт

Под заказ:

160 шт

Цена от:

от 426,41₽

TDA4863GXUMA2 ИС компенсации коэффициента мощности Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8

Наличие:

121 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 112,45₽