Главная
Результаты поиска "infineon"

infineon

Показывать:

Все

В наличии

В Розничном магазине. Екатеринбург, ул. Колмогорова 70

infineon (1389)

IRF1324PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 24В 195А 300Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 24В Ток стока макс.: 195A Сопротивление открытого канала: 1.5 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 240нКл Входная емкость: 7590пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

365 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 185,14₽

IRF7301TRPBF Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 5.2 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOIC8 Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 20 В Маскимальный ток стока: 5.2 А Максимальная рассеиваемая мощность: 2 Вт

Наличие:

0 шт

Под заказ:

6 000 шт

Аналоги:

1 691 шт

Цена от:

от 55,00₽

IRFP4137PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 300В 38А 341Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 300В Ток стока макс.: 38A Сопротивление открытого канала: 69 мОм Мощность макс.: 341Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 125нКл Входная емкость: 5168пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

70 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 555,12₽

IRG4PC50FDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 70 А, 200 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 70 А Импульсный ток коллектора макс.: 280 А Макс. рассеиваемая мощность: 200 Вт Переключаемая энергия: 1.5 мДж

Наличие:

29 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 3 535,84₽

IRG4PC50UPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 55 А, 200 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 55 А Импульсный ток коллектора макс.: 220 А Макс. рассеиваемая мощность: 200 Вт Переключаемая энергия: 120 мкДж

Наличие:

24 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 1 802,45₽

IRLB3036PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 190А 380Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Isolated Tab Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 195A Сопротивление открытого канала: 2.4 мОм Мощность макс.: 380Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 140нКл Входная емкость: 11210пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

146 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 324,02₽

IRF9520NPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 6.8А 48Вт, 0.48 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 6.8A Мощность макс.: 48Вт Тип транзистора: P-канал Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

126 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 92,99₽

BCX42E6327HTSA1 Биполярный транзистор, PNP, 125 В, 0.8 А, 0.33 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-23 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 125 В Ток коллектора Макс.: 0.8 А Тип монтажа: Поверхностный

Наличие:

1 765 шт

Под заказ:

900 шт

Цена от:

от 15,88₽

SMBTA42E6327HTSA1 Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.5 А, 0.36 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-23 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 300 В Ток коллектора Макс.: 0.5 А

Наличие:

2 584 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 14,53₽

BCR562E6327 Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.5 А, 0.33 Вт, 150 МГц, 4.7 кОм+4.7 кОм Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-23 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 330mW Сопротивление резистора базы R1: 4.7k Сопротивление резистора Э-База R2: 4.7k

Наличие:

4 273 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 8,84₽

IRFB4332PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 390Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO220AB Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 33 мОм Мощность макс.: 390Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 150нКл Входная емкость: 5860пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

188 шт

Под заказ:

750 шт

Цена от:

от 144,17₽

IRFR5410PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 13А 66Вт, 0.205 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 205 мОм Мощность макс.: 66Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 58нКл Входная емкость: 760пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

2 300 шт

Аналоги:

48 052 шт

Цена от:

от 49,34₽

IRFIZ34NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 21А 37Вт, 0.04 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 37Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 34нКл Входная емкость: 700пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

172 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 78,92₽

IRLIZ34NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 22А 37Вт, 0.035 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 22A Сопротивление открытого канала: 35 мОм Мощность макс.: 37Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 880пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

1 931 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 73,06₽

IRL1404ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 75А 230Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 3.1 мОм Мощность макс.: 230Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.7В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 5080пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

253 шт

Под заказ:

195 шт

Цена от:

от 191,29₽