Главная
Новости
Силовые MOSFET-транзисторы фирмы STMicroelectronics выполненные по технологии MDmesh V

Силовые MOSFET-транзисторы фирмы STMicroelectronics выполненные по технологии MDmesh V

16 августа 2010 г.

Фирма STMicroelectronics является одним из ведущих производителей высоковольтных силовых MOSFET-транзисторов. Каждый пятый высоковольтный транзистор в источнике питания или другом силовом устройстве произведен STMicroelectronics. В прошлом году на рынок выпущена серия приборов выполненных по технологии 650В MDmeshV.

MDmeshV – инновационная технология производства кристаллов для силовых высоковольтных транзисторов от фирмы STMicroelectronics. Эта технология была освоена в 2001г. Первые серийные транзисторы ТMDmesh II серий NM и M с напряжением 300..650В увидели свет четырьмя годами позже.

В чем же выгода от применения транзисторов выполненных по этой технологии? В чем отличие от других приборов, имеющихся на рынке? Ответ прост. Инженеры, занятые в секторе силовой электроники знают, что одним из главных параметров любой силовой установки является ее эффективность. Любой силовой прибор, в том числе и транзистор, имеет собственные потери. Потери делятся на два вида: динамические и статические. Статические потери возникают при протекании электрического тока по открытому каналу транзистора. Сопротивление канала транзистора имеет хоть и небольшое, но вполне определенное значение, соответственно выбирая транзистор с минимальным значением этого параметра, мы уменьшаем и потери. Технология MDmesh V позволяет получить превосходные значения по величине сопротивления открытого канала на единицу площади кристалла. Кроме статических потерь, огромное значение в повышении эффективности имеют и динамические потери на ключе, потери при переключении. Однако технология MDmeshV позволяет приборам этой серии показать и здесь отличные параметры, благодаря низким значениям заряда затвора и выходной емкости. Для примера давайте сравним параметры транзистора STP16N65M5 с аналогичными транзисторами, доступными на рынке.

Наименование	Напряжение сток-исток Vdss, (В)	Ток стока, (А)	Сопротивление канала Rds, (Ом)	Заряд затвор-исток, (нК)
IRFIBC40G (Vishay)	600	14	1.2	60
STP16N65M5 (STM)	650	12	0.299	45
FCPF11N60 (Fair)	650	11	0.32	52
SPP11N60C3 (Infi)	650	11	0.38	60

Дополнительным бонусом для разработчиков является повышенное до 650В, максимально-допустимое напряжение «сток-исток», это дает дополнительный запас надежности по сравнению со стандартным значением 600В у высоковольтных транзисторов других производителей. Разнообразие корпусов в которых производятся приборы, тоже играет большую роль в удобстве использования этих элементов. Следует отметить, что фирмой STMicroelectronics освоено производство транзисторов в малогабаритных PowerFLAT™ 8x8 HVкорпусах. Этот корпус имеет габариты 8х8 мм. и толщину 1 мм. Технология применения этих корпусов такова, что позволяет снимать тепло с обеих сторон, и, как следствие, значительно улучшить тепловые условия эксплуатации транзистора и уменьшить габариты прибора в целом.

Наименование	Статус	Напряжение сток-исток VDSS, [В]	Тока стока макс., [A]	Сопротивление открытого канала RDS(on), [Ом] при @VGS=10В	Мощность рассеивания макс., [Вт]	Заряд затвора, (нС)	Корпус
STB21N65M5	Серия	650	17	0.179	125	37	D2PAK
STB30N65M5	Серия	650	21	0.139	140	-	D2PAK
STB32N65M5	Серия	650	24	0.119	150	-	D2PAK
STB35N65M5	Серия	650	27	0.098	160	-	D2PAK
STB42N65M5	Серия	650	33	0.079	190	100	D2PAK
STD12N65M5	Серия	650	8.5	0.41	70	19	TO 252 DPAK
STD16N65M5	Серия	650	12	0.299	90	45	TO 252 DPAK
STF12N65M5	Серия	650	8.5	0.41	25	19	TO 220 ISO
STF16N65M5	Серия	650	12	0.299	25	45	TO 220 ISO
STF21N65M5	Серия	650	17	0.179	30	37	TO 220 ISO
STF30N65M5	Серия	650	21	0.139	30	-	TO 220 ISO
STF32N65M5	Серия	650	24	0.119	35	-	TO 220 ISO
STF35N65M5	Серия	650	27	0.098	40	-	TO 220 ISO
STI21N65M5	Серия	650	17	0.179	125	37	I2PAK
STI32N65M5	Серия	650	24	0.119	150	-	I2PAK
STI35N65M5	Серия	650	27	0.098	160	-	I2PAK
STI42N65M5	Серия	650	33	0.079	-	100	I2PAK
STL12N65M5	Анонс	650	8.5	0.43	-	-	MLPD4
STL16N65M5	Анонс	650	12	0.27	-	-	MLPD4
STL21N65M5	Образцы	650	17	0.19	125	-	MLPD4
STL42N65M5	Анонс	650	34,00	0.079	-	-	MLPD4
STP12N65M5	Серия	650	8.5	0.41	70	19	TO 220 AB
STP16N65M5	Серия	650	12	0.299	90	45	TO 220 AB
STP21N65M5	Серия	650	17	0.179	125	37	TO 220 AB
STP30N65M5	Серия	650	21	0.139	140	-	TO 220 AB
STP32N65M5	Серия	650	24	0.119	150	-	TO 220 AB
STP35N65M5	Серия	650	27	0.098	160	-	TO 220 AB
STP42N65M5	Серия	650	33	0.079	-	100	TO 220 AB
STU12N65M5	Серия	650	8.5	0.41	70	19	IPAK TO-251
STU16N65M5	Серия	650	12	0.299	90	45	IPAK TO-251
STW21N65M5	Серия	650	17	0.179	125	37	TO 247
STW30N65M5	Серия	650	21	0.139	140	-	TO 247
STW32N65M5	Серия	650	24	0.119	150	-	TO 247
STW35N65M5	Серия	650	27	0.098	160	-	TO 247
STW42N65M5	Серия	650	33	0.079	190	100	TO 247
STW77N65M5	Серия	650	31	0.038	400	200	TO 247
STY112N65M5	Анонс	650	93	0.022	450	360	TO 247 MAX

Получить более подробную информацию по приборам, заказать образцы транзисторов Вы можете в инженерном отделе компании "ПРОМЭЛЕКТРОНИКА":
Милёхин Дмитрий
E-mail: stm@promelec.ru
Телефон: +7 (343) 372-92-27

Техническая поддержка:
E-mail: support@promelec.ru
Телефон: +7 (343) 372 92 27

"ПРОМЭЛЕКТРОНИКА" - официальный прямой дистрибьютор компании "STMicroelectronics"

Последние новости - одной лентой: