Предлагаем приобрести под заказ MOSFET транзисторы инновационной технологии MDmesh V

Линейка полевых транзисторов, выпущенная на рынок компанией "STMicroelectronics"  MDmesh V - отличается новой технологией, позволяющей снизить как статические, так и динамические потери мощности. Особенности этой технологии состоят в том, что разработчикам приборов удалось значительно снизить сопротивление открытого канала транзистора, понизить значение переносимого заряда, необходимого для включения. С её помощью стало реальным создание решений с более высоким КПД. Эта технология на сегодняшний день является самой эффективной среди доступных на рынке и позволяет значительно сократить потери энергии в источниках электропитания.

Технология MDmesh V позволяет практически на 40% снизить величину сопротивления открытого канала R_DS(ON) по сравнению с более ранней технологией MDmesh II и установила новую рекордную планку для силовых коммутаторов. Созданные на основе этой технологии транзисторы в корпусах TO-220, TO-220FP, I2PAK, D2PAK, DPAK, IPAK и TO-247 обладают рекордно низким значением R_DS(ON). Помимо значительного снижения статических потерь, технология MDmesh V также обеспечивает улучшение динамических характеристик и, как следствие, снижение потерь динамических потерь при коммутации. Совокупность этих факторов позволяет говорить о возможности значительного снижения потерь мощности и повышения эффективности систем питания.

Так, например, транзистор STP42N65M5 характеризуется сопротивлением открытого канала 0.079 Ом (лучшее максимальное значение R_DS(ON) среди прочих доступных на рынке транзисторов в корпусах TO-220 на напряжение 600…650 В при температуре 25°C) и максимальным током 33 А. В свою очередь, STx16N65M5 характеризуется сопротивлением открытого канала 0.0299 Ом и максимальным током 12 А.

Основные особенности транзисторов новой серии MDmesh V:

- Самое низкое значение RDSon для корпусов TO-220, TO-220FP, I2PAK, D2PAK, DPAK, IPAK, TO-247 и Max247;
- Быстрое переключение;
- Высокие номиналы питающего напряжения;
- Высокое значение скорости нарастания напряжения (dv/dt);
- Простота в управлении;
- 100% тестирование на лавинный пробой.

Преимущества транзисторов новой серии MDmesh V:

- Повышенное сохранение энергии;
- Высокая плотность мощности;
- Высокая эффективность;
- Позволяют разрабатывать более компактные и надежные устройства.

Сферы возможного применения транзисторов серии MDmesh V:

- Импульсные источники питания (компьютерные, высокоэффективные адаптеры, телекоммуникации);
- Системы управления освещением;
- Подсветка дисплеев;
- Преобразователи энергии от солнечных батарей;
- Источники бесперебойного питания;
- Сварочные аппараты;
- Управление электродвигателями.

Подсемейства продукции:

650В, 0.070Ом, 33А MDmesh™
STB42N65M5
STF42N65M5
STI42N65M5
STP42N65M5
650В, 0.270Ом, 12А MDmesh™
STD16N65M5
STF16N65M5
STP16N65M5
STU16N65M5
STW42N65M5

Получить более подробную информацию по продукции "STMicrolectronics" и заказать образцы Вы можете, обратившись в отдел дистрибуции:

Руководитель отдела дистрибуции:
Суворова Полина
E-mail: stm@promelec.ru
Телефон: +7 (343) 245 68 20

Техническая поддержка:
Колесников Никита, Милехин Дмитрий
E-mail: support@promelec.ru
Телефон: +7 (343) 372 92 27

Последние новости - одной лентой: