В ассортименте IGBT-модули Leapers и Xiner
У нас новое поступление IGBT-модулей в корпусе EconoDUAL3 производства компаний Leapers и Xiner.
Модули состоят из IGBT-транзисторов, зашунтированных быстродействующими диодами (см. рисунок ниже). Они отличаются высокой мощностью, большим КПД, скоростью переключений, а также связанными с ними малыми потерями. IGBT-модули используют в преобразовательной технике для получения максимальной энергетической эффективности при преобразовании и передаче электрической энергии.
1200-вольтовые IGBT-модули Xiner и Leapers используют в возобновляемых источниках энергии, частотных преобразователях промышленного назначения, системах управления насосами и индукционных нагревательных системах.
Штыревые контакты для цепей управления выведены на верх плоского корпуса и отделены от клемм для подключения силовых цепей, расположенных с торцов. Такая конструкция позволяет устанавливать устройства управления затворами транзисторов непосредственно на самом модуле, а, следовательно, уменьшить размеры инверторных систем.
Почему китайские модули являются оптимальным вариантом
Одним из заметных драйверов развития IGBT является растущая популярность электромобилей в Китае. Силовая электроника устанавливается не только в автомобили, но и в зарядные станции, которых производится в разы больше. И если раньше компании из Поднебесной декларировали, что изготавливают IGBT по стандартам Европы и Америки, то сейчас они являются "законодателями моды", как и с электромобилями. Не исключаем, что именно китайские производители IGBT уже скоро станут лидерами в этой области.
Преимущества предлагаемых нами модулей IGBT представлены в таблице.
|
DFI600HF17I4RE1 Leapers |
DFI450HF12I4ME1 Leapers |
XNG450B24KC5A5 Xiner |
---|---|---|---|
Основные характеристики |
Напряжение коллектор-эмиттер – 1700 В Ток коллектора – 600 А Рассеиваемая мощность – 3906 Вт |
Напряжение коллектор-эмиттер – 1200 В Ток коллектора – 450 А Рассеиваемая мощность – 3750 Вт |
Напряжение коллектор-эмиттер – 1200 В Ток коллектора – 450 А Рассеиваемая мощность – 1650 Вт |
Преимущества |
Блокирующее напряжение: 1700 В Низкое напряжение насыщения VCE Низкие потери переключения Максимальная температура перехода 150°C Термистор внутри |
Кристаллы IGBT Renesas 8-го поколения Максимальный ток коллектора 600 А при +100 °C Напряжение изоляции 3400 В Количество термоциклов в 3 раза выше, чем у аналогов |
Низкие потери переключения Высокая устойчивость к току короткого замыкания Надежность и повторяемость параметров |
Применение |
Устройства для коммутации высокой мощности Электроприводы Солнечные инверторные системы Ветровые турбины |
Преобразователи напряжения Электроприводы ИБП Исполнительное оборудование промышленной автоматики Транспортные тяговые инверторы с частотой 20–50 кГц |
Преобразователи напряжения Электроприводы ИБП Исполнительное оборудование промышленной автоматики |
По сравнению с аналогами, модули Xiner и Leapers обладают прекрасным сочетанием цены/качества/надежности. Приведем для примера некоторые сравнительные характеристики.
|
Leapers DFI450HF12I4ME1 |
Xiner XNG450B24KC5A5 |
CRRC TG450HF12M1-S3A00 |
Mitsubishi CM450DX-24T |
Infineon FF450R12ME4 |
Starpower GD450HFY120C6S |
«Протон-Электротекс» |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Ключевые условия проверки параметров: |
Ток коллектора IC 450 А, напряжение затвор-эмиттер VGE =15 В |
||||||
Ток коллектора DC IC Tc = 100°C, А |
600 |
450 |
450 |
450 |
450 |
450 |
450 |
Повторяющийся пиковый ток коллектора tp =1 ms , Note 1, А |
1200 |
900 |
900 |
900 |
900 |
900 |
900 |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт |
3750 |
2150 |
2800 |
2500 |
2250 |
2272 |
– |
Пороговое напряжение затвор-эмиттер VGE(th), В |
5 |
5,6 |
5,9 |
6 |
5,8 |
5,6 |
– |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер VCE(sat) 25°C, В |
1,65 |
1,75 |
1,65 |
1,65 |
1,75 |
1,7 |
1,75 |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер VCE(sat) Tj = 150°C, В |
1,85 |
2,05 |
2 |
1,9 |
2,05 |
2 |
2,95 |
Время задержки включения td(on) Tj = 25°C, мкс |
0,18 |
0,18 |
0,262 |
0,6 |
0,19 |
0,208 |
– |
Время задержки включения td(on) Tj = 150°C, мкс |
0,191 |
0,187 |
0,267 |
– |
0,22 |
0,23 |
0,234 |
Время нарастания Tj = 25°C, мкс |
0,052 |
0,059 |
0,095 |
0,2 |
0,06 |
0,054 |
0,063 |
Время нарастания Tj = 150°C, мкс |
0,054 |
0,066 |
0,102 |
– |
0,07 |
0,062 |
– |
Время задержки выключения Tj = 25°C, мкс |
0,422 |
0,435 |
0,68 |
0,8 |
0,49 |
0,356 |
– |
Время задержки выключения Tj = 150°C, мкс |
0,48 |
0,504 |
0,73 |
– |
0,62 |
0,431 |
0,436 |
Время спада Tj = 25°C, мкс |
0,113 |
0,082 |
0,13 |
0,4 |
0,08 |
0,256 |
– |
Время спада Tj = 150°C, мкс |
0,16 |
0,218 |
0,27 |
– |
0,12 |
0,403 |
– |
Энергия потерь при включении Tj = 25°C,мДж |
45,2 |
21 |
19 |
43,1 |
15 |
25,4 |
– |
Энергия потерь при включении Tj = 150°C, мДж |
63,53 |
36 |
30 |
– |
28,5 |
45,3 |
– |
Рассеивание энергии при выключении за один цикл Tj = 25°C, мДж |
35,38 |
43 |
46 |
45 |
38 |
42,1 |
– |
Рассеивание энергии при выключении за один цикл Tj = 150°C, мДж |
43,99 |
51 |
62 |
– |
61,5 |
60,2 |
– |
Тепловое сопротивление переход-корпус RthJC, К/Вт |
0,04 |
0,07 |
0,052 |
0,06 |
0,104 |
0,066 |
– |
Условия проверки параметров:
|
(Switch side) VCC =600 В, IC 450 А VGE = +15 В/-8 В RG 1.0 Ом (FRD side) Vrr =600 В, IF 450 А VGE= -8 В |
IF=450 А, VR=600 В |
IF = 450 А, VGE = 0 |
– |
IF = 450 А, - diF/dt = 7000 А/мкс (Tvj=150°C) VR = 600 В VGE = -15 В |
VCC=600 В, IF=450 А, -di/dt=7860 А/мкс, LS=45 нГн, VGE=-15 В |
– |
Постоянное прямое напряжение диода, VF Tj = 25°C, В |
1,7 |
2,32 |
1,65 |
– |
1,65 |
1,6 |
– |
Постоянное прямое напряжение диода, VF Tj = 150°C, В |
1,75 |
2,4 |
1,75 |
– |
1,65 |
1,7 |
– |
Пиковый ток обратного восстановления, Tj = 25°C, А |
283 |
243 |
350 |
– |
450 |
393 |
– |
Какие можно сделать выводы
Хотя некоторые характеристики IGBT от Infineon, Mitsubishi и Протон-Электротекс выглядят современными, китайские производители тоже могут похвастаться своими разработками – например, высокой устойчивостью модулей к коротким замыканиям и большей рассеиваемой мощностью. Подобные достижения говорят о высоком уровне подготовки инженеров, тщательно проработавших конструкцию данных модулей.
Анализ общих характеристик модулей различных производителей показал, что у модулей Leapers и Xiner более низкое напряжение насыщения по сравнению с аналогичными IGBT-транзисторами класса 1200 В. Это приводит к меньшим потерям и снижению рассеиваемой мощности в открытом состоянии прибора, облегчая процесс терморегуляции.
Положительный температурный коэффициент VCE (sat) в комплексе с минимальным разбросом характеристик упрощает параллельное соединение нескольких транзисторов и даёт возможность управлять более высокой мощностью.
Заметное снижение уровня выбросов напряжения и почти нулевое колебание при выключении способствуют использованию производителями источников питания упрощённых схем подавления помех и сокращению количества используемых элементов.
После ухода с российского рынка производителей IGBT из западных стран отечественным компаниям пришлось искать альтернативные варианты поставок и налаживать новую логистику. И такие варианты быстро нашлись: сейчас на российском рынке представлены сборки IGBT от китайских производителей, которые, как правило, поддерживают на должном уровне качество и функциональность продуктов.
Модули доступны для покупки со склада.
По вопросам приобретения, а также по всем другим интересующим вопросам предлагаем обрщаться на электронную почту: a.volkov@promelec.ru.
Сейлз-инженер ГК «Промэлектроника»
Волков Алексей
тел: (343) 372-92-30, доб.443
- Абакан
- Анадырь
- Архангельск
- Астрахань
- Барнаул
- Белгород
- Биробиджан
- Благовещенск
- Брянск
- Великий Новгород
- Владивосток
- Владикавказ
- Владимир
- Волгоград
- Вологда
- Воронеж
- Горно-Алтайск
- Грозный
- Екатеринбург
- Иваново
- Ижевск
- Иркутск
- Йошкар-Ола
- Казань
- Калининград
- Калуга
- Кемерово
- Киров
- Кострома
- Краснодар
- Красноярск
- Курган
- Курск
- Кызыл
- Липецк
- Магадан
- Магас
- Майкоп
- Махачкала
- Москва
- Мурманск
- Нальчик
- Нарьян-Мар
- Нижний Новгород
- Новосибирск
- Омск
- Орёл
- Оренбург
- Пенза
- Пермь
- Петрозаводск
- Петропавловск-Камчатский
- Псков
- Ростов-на-Дону
- Рязань
- Салехард
- Самара
- Санкт-Петербург
- Саранск
- Саратов
- Смоленск
- Ставрополь
- Сыктывкар
- Тамбов
- Тверь
- Томск
- Тула
- Тюмень
- Улан-Удэ
- Ульяновск
- Уфа
- Хабаровск
- Ханты-Мансийск
- Чебоксары
- Челябинск
- Черкесск
- Чита
- Элиста
- Южно-Сахалинск
- Якутск
- Ярославль
This site is protected by reCAPTCHA and the Google
Privacy Policy and Terms of Service apply.