Главная
Новости
Первоклассные IGBT-модули для вашей техники

Первоклассные IGBT-модули для вашей техники

27 сентября 2023 г.

Мы рады сообщить о поступлении на склад IGBT-модулей в корпусе EconoDUAL 3 от производителей Leapers и Xiner.

IGBT модули представляют собой сборку из параллельно включенных IGBT-транзисторов и быстродействующих диодов (FRD). Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) обладает высоким КПД, мощностью, быстрым включением и выключением, низкими потерями энергии при переключении. IGBT модули предназначены для использования в преобразовательной технике для повышения энергетической эффективности преобразования и передачи электроэнергии.

1200-вольтовые IGBT-модули Xiner и Leapers ориентированы на применение в промышленных частотных преобразователях, системах управления приводом насосных станций, возобновляемых источниках энергии, а также индукционных системах нагрева.

Благодаря плоскому корпусу, отдельным винтовым клеммам для силовых цепей, а также штыревым контактам цепей управления возможна установка драйверов затворов IGBT-транзисторов непосредственно на верхней части модуля, что позволит достичь компактных размеров конструкций инверторов.

Компания Leapers Semiconductor основана в 2019 году в Китае, а её отдел разработок находится в Кумагайе (Япония). Компания специализируется на производстве SIC и IGBT-модулей для применения на транспорте.

Преимущества модулей DFI450HF12I4ME1:

новейшие разработки кристаллов IGBT Renesas 8-го поколения;
максимальный ток коллектора 600 А при +100 °C;
напряжение изоляции 3400 В;
подходят для транспортных тяговых инверторов с частотой 20–50 кГц. Количество заявляемых термоциклов в три раза выше, чем у аналогов;

Компания Shenzhen Xiner Semiconductor Technology Co., Ltd. (Xiner) основана в 2013 году в городе Шэньчжэнь. Направление деятельности компании – производство IGBT, микросхем драйверов IGBT и интеллектуальных силовых модулей.

Преимущества модулей XNG450B24KC5A5:

низкие потери переключения;
высокая устойчивость к току короткого замыкания (Icsc);
надежность и повторяемость параметров.

ТАБЛИЦА 1. ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ 1200 В IGBT-ТРАНЗИСТОРОВ

	Leapers	Xiner	CRRC	Mitsubishi	Infineon	Starpower
	DFI450HF12I4ME1	XNG450B24KC5A5	TG450HF12M1-S3A00	CM450DX-24T	FF450R12ME4	GD450HFY120C6S
Ключевые условия проверки параметров:	Ток коллектора IC 450 A, напряжение затвор-эмиттер VGE =15V
Ток коллектора DC IC Tc = 100 °C, А	600	450	450	450	450	450
Повторяющийся пиковый ток коллектора tp =1ms , Note 1 , А	1200	900	900	900	900	900
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	3750	2150	2800	2500	2250	2272
Пороговое напряжение затвор-эмиттер VGE(th), В	5	5,6	5,9	6	5,8	5,6
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер VCE(sat) 25 °C, В	1,65	1,75	1,65	1,65	1,75	1,7
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер VCE(sat) Tj = 150 °C, В	1,85	2,05	2	1,9	2,05	2
Время задержки включения td(on) Tj = 25 °C, мкс	0,18	0,18	0,262	0,6	0,19	0,208
Время задержки включения td(on) Tj = 150 °C, мкс	0,191	0,187	0,267		0,22	0,23
Время нарастания Tj = 25°C, мкс	0,052	0,059	0,095	0,2	0,06	0,054
Время нарастания Tj = 150 °C, мкс	0,054	0,066	0,102		0,07	0,062
Время задержки выключения Tj = 25°C, мкс	0,422	0,435	0,68	0,8	0,49	0,356
Время задержки выключения Tj = 150 °C, мкс	0,48	0,504	0,73		0,62	0,431
Время спада Tj = 25°C, мкс	0,113	0,082	0,13	0,4	0,08	0,256
Время спада Tj = 150°C, мкс	0,16	0,218	0,27		0,12	0,403
Энергия потерь при включении Tj = 25°C,мДж	45,2	21	19	43,1	15	25,4
Энергия потерь при включении Tj = 150°C, мДж	63,53	36	30		28,5	45,3
Рассеивание энергии при выключении за один цикл Tj = 25°C, мДж	35,38	43	46	45	38	42,1
Рассеивание энергии при выключении за один цикл Tj = 150°C, мДж	43,99	51	62		61,5	60,2
Тепловое сопротивление переход-корпус RthJC, К/Вт	0,04	0,07	0,052	0,06	0,104	0,066
Условия проверки параметров:	(Switch side) VCC =600V, IC 450A VGE = +15V/-8V RG 1.0 Om (FRD side) Vrr =600V, IF 450 A VGE= -8V	IF=450A,VR=600V	IF = 450A, VGE = 0	н/д	IF = 450 A, - diF/dt = 7000 A/µs (Tvj=150°C) VR = 600 V VGE = -15 V	VCC=600V, IF=450A, -di/dt=7860A/μs, LS=45nH, VGE=-15V
Постоянное прямое напряжение диода VF Tj = 25°C, В	1,7	2,32	1,65	н/д	1,65	1,6
Постоянное прямое напряжение диода VF Tj = 150°C, В	1,75	2,4	1,75	н/д	1,65	1,7
Пиковый ток обратного восстановления Tj = 25°C, А	283	243	350	н/д	450	393

Сравнение общих параметров модулей разных производителей показывает, что модули Leapers и Xiner в сравнении с аналогичными IGBT-транзисторами класса 1200 В имеют пониженное напряжение насыщения. Это обеспечивает меньшее падение напряжения и минимальную рассеиваемую мощность в открытом состоянии прибора, упрощая тем самым систему терморегулирования. Кроме того, положительный температурный коэффициент V_CE(sat)в сочетании с малым разбросом параметров не только упрощает параллельное включение нескольких транзисторов, но и позволяет реализовать управление более высокой мощностью. Заметно пониженный уровень выбросов напряжения и практически нулевые колебания при выключении помогают производителям источников питания использовать упрощённые схемы помехоподавления и уменьшить количество применяемых компонентов.

Модули Leapers и Xiner доступны для заказа с нашего склада.

DFI450HF12I4ME1 IGBT Модуль 1200В, 450А, полумостовой Производитель: Leapers Semiconductor Корпус: ECONOD-3

Наличие:

3 754 шт

Под заказ:

284 шт

Аналоги:

2 688 шт

Цена от:

от 6 154,70₽

XNG450B24KC5A5 IGBT Модуль 1200В, 450А, полумостовой Производитель: Xiner

Наличие:

2 478 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

4 318 шт

Цена от:

от 7 529,24₽

DFI600HF12I4ME1 IGBT Модуль 1200В, 600А, полумостовой Производитель: Leapers Semiconductor

Наличие:

0 шт

Под заказ:

298 шт

Аналоги:

186 шт

Цена от:

от 15 300,43₽

DFI450HF17I4RE1 IGBT Модуль 1700В, 450А, полумостовой Производитель: Leapers Semiconductor

Наличие:

3 987 шт

Под заказ:

116 шт

Аналоги:

105 шт

Цена от:

от 8 199,66₽

DFI600HF17I4RE1 IGBT Модуль 1700В, 600А, полумостовой Производитель: Leapers Semiconductor

Наличие:

454 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

276 шт

Цена от:

от 14 557,70₽

По вопросам приобретения, а также по всем другим интересующим вопросам предлагаем обрщаться на электронную почту: a.volkov@promelec.ru.

Сейлз-инженер ГК «Промэлектроника»
Волков Алексей
тел: (343) 372-92-30, доб.443

Все товары производителя

Смотреть все товары

Все товары производителя

Смотреть все товары