Новое поступление диодов на основе карбида кремния от Global Power Technology

Global Power Technology Co., Ltd. (GPT) — китайская компания, основанная в 2011 году и получившая известность благодаря производимым ею полупроводниковым приборам на основе карбида кремния (SiC). GPT специализируется на производстве диодов Шоттки SiC с обратным напряжением от 600 до 3300 В и прямым током от 0,6 до 100 А. Карбид кремния, как материал для изделий силовой электроники обладает рядом преимуществ в сравнении с другими полупроводниками. Широкая запрещённая зона позволяет реализовать диоды Шоттки на основе карбида кремния с низким током утечки, высоким напряжением пробоя, отличной теплопроводностью и низким динамическим током восстановления*.
В конечном итоге это положительно влияет на эффективность устройств, где они применяются.

*Динамический ток восстановления диода – нелинейный ток разряда барьерной ёмкости. Чем меньше пиковая величина тока восстановления, тем меньше потерь на переключение диода и тем выше скорость переключения (за счёт меньшей барьерной ёмкости).

На склад ООО ТД "Промэлектроника" поступила очередная партия диодов Шоттки от GPT на основе SiC. Карбид-кремниевые диоды из этой партии объединены следующими параметрами:

• максимальное обратное напряжение, В: 650...1200;
• максимальный прямой ток, А: 4...70;
• диапазон рабочих температур, °С: -55...+175;
• корпус: TO-220, TO-247 (монтаж в контактные отверстия).

Низкая вероятность теплового пробоя, небольшой ток утечки (менее 100 мкА) и высокое быстродействие делают диоды Шоттки на основе карбида кремния идеальными для применения в высокочастотных силовых цепях. Предлагаемые производителем корпуса элементов имеют крепления для внешних радиаторов, что даёт возможность улучшить охлаждение приборов.

Перечень SiC-диодов GPT в каталоге ООО ТД "Промэлектроника".