Германская корпорация Infineon Technologies входит в число лидеров по производству полупроводниковой электроники в мире. Она была создана в 1999 г. путём выхода из состава Siemens AG, что позволило ей унаследовать богатейший опыт и большой портфель наработок и патентов в сфере силовой электроники. За счёт сделок по слиянию и поглощению Infineon значительно расширила свой ассортимент продукции и в настоящее время предлагает:
- Микроконтроллеры (линейки бывшей Freescale);
- Диоды;
- Транзисторы MOSFET, IGBT;
- Датчики тока;
- Драйверы для транзисторов;
- Твердотельные реле и многое другое.
На склад "Промэлектроники" поступила новая партия одиночных IGBT от Infineon. Этот тип транзисторов фактически представляет собой сдвоенный транзистор с управляющим переходом (изолированным затвором), своего рода MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция даёт ряд преимуществ:
- управление по напряжению, а не по току;
- низкая мощность сигнала управления;
- высокое входное сопротивление;
- зависимость сопротивления открытого канала от величины силы тока, а не от квадрата величины силы тока.
Типовое применение IGBT-транзисторов и модулей — цепи с частотой до 50 кГц, током в десятки ампер и напряжением более 500 В — к примеру, электродвигатели.
Новая партия IGBT-транзисторов Infineon приведена в таблице ниже. Прочие модели IGBT от Infineron в нашем каталоге.
IGW60T120FKSA1
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 100 А, 375 Вт
Производитель: INF
Корпус: PG-TO-247-3
IKW25N120H3FKSA1
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 50 А, 326 Вт
Производитель: INF
Корпус: PG-TO-247-3
IKW25N120T2FKSA1
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 50 А, 349 Вт
Производитель: INF
Корпус: PG-TO-247-3
IKW40N65H5FKSA1
Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 74 А, 255 Вт
Производитель: INF
Корпус: PG-TO-247-3
IRG4PC40WPBF
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 160 Вт
Производитель: INF
Корпус: TO-247AC
IRGP4068DPBF
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 96 А
Производитель: INF
Корпус: TO-247AC
IHW30N160R5XKSA1
Биполярный транзистор IGBT, 1600 В, 30 А, 310 Вт
Производитель: INF
Корпус: PG-TO247-3-46
IKW75N65EH5XKSA1
Биполярный транзистор IGBT, 650В 90А 395Вт [TO-247]
Производитель: INF
Корпус: PG-TO-247-3
IKW75N60TFKSA1
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 428 Вт
Производитель: INF
Корпус: PG-TO-247-3
IKW50N60TFKSA1
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 333 Вт
Производитель: INF
Корпус: PG-TO-247-3
IRGPS4067DPBF
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 240 А, 750 Вт
Производитель: INF
Корпус: Super-247
IHW20N120R3FKSA1
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 310 Вт
Производитель: INF
Корпус: TO-247
IRG4BC30WPBF
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 23 А, 100 Вт
Производитель: INF
Корпус: TO-220AB
IHW20N135R5XKSA1
Биполярный транзистор IGBT, 1350 В, 40 А, 288 Вт
Производитель: INF
Корпус: PG-TO-247-3
IRGP50B60PD1PBF
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 75 А, 390 Вт
Производитель: INF
Корпус: TO-247AC