Новое поступление IGBT-транзисторов и модулей Infineon
Компания Infineon Technologies, появившаяся в 1999 году в результате выделения одного из подразделений Siemens, в наши дни является одним из лидирующих многопрофильных производителей электроники. Её штаб-квартира располагается в немецком Нойбиберге, а филиалы и фабрики, в которых работает более 41000 сотрудников, можно встретить по всему миру.
Одной из главных категорий продукции Infineon является силовая электроника, включающая в себя мощные IGBT-транзисторы и IGBT-модули. IGBT расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором» – два транзистора с уникальной структурой управляющего перехода. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. На рисунке 1 показана схема типичного IGBT-модуля с двумя транзисторами.
Рисунок 1. Схема электрическая принципиальная IGBT-модуля на два транзистора
Конструкция IGBT позволяет сочетать преимущества обоих типов транзисторов:
- управление по напряжению, а не по току;
- низкая управляющая мощность;
- высокое входное сопротивление;
- зависимость сопротивления открытого канала от величины силы тока, а не квадрата силы тока.
Типичные применения IGBT-транзисторов и модулей – это цепи с частотой до 50 кГц, токами в десятки ампер и напряжением более 500 В. В качестве примеров можно привести:
- инверторы;
- импульсные источники питания;
- системы управления тяговыми двигателями;
- и другие нагрузки до 6-6,5 кВ.
На склад «Промэлектроники» поступили IGBT-транзисторы IKW30N60H3FKSA1 и IGBT-модули: FF600R12KE4BOSA1 (рисунок 2) и BSM50GP120BOSA1. Их основные характеристики представлены в таблицах ниже. Также на страницах этих моделей доступны даташиты от Infineon. В числе преимуществ IGBT Infineon Technologies можно выделить инновационные технологии TRENCHSTOP, позволяющие повысить допустимые рабочие температуры до 175°C, что даёт большой запас по перегрузке.
Рисунок 2. Корпус IGBT-модуля FF600R12KE4BOSA1
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер | 600 В |
| Импульсный ток коллектора | 120 А |
| Максимальный ток коллектора при 25°C | 60 А |
| Прямой ток диода | 30 А при 25°C 15 А при 100°C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 187 Вт при 25°C 94 Вт при 100°C |
| Напряжение затвор-эмиттер | ±20 В |
| Задержка включения | при 25°C при 25°C |
| Задержка выключения | 20 нс при 25°C 239 нс при 175°C |
| Рабочий диапазон температур | -40..+175°C |
| Корпус | TO-247 |
| Параметры | FF600R12KE4BOSA1 | BSM50GP120BOSA1 |
|---|---|---|
| Напряжение коллектор-эмиттер | 1200 В при 25 | 1200 В |
| Повторяющееся импульсное обратное напряжение | 1200 В при 25°C | 1600 В при 25°C |
| Прямой постоянный ток | 600 А | 50 А |
| Повторяющийся импульсный прямой ток | 1200 А при tp = 1 мс | 100 А |
| Рассеиваемая мощность | н/д производителя | 360 Вт при 25 |
| Рабочий диапазон температур | -40..125°C | -40..125°C |
Все IGBT-транзисторы и модули, поставляемые Промэлектроникой.
Новые поступления приведены в таблице:
IKW30N60H3FKSA1
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60А, 187 Вт
