Главная
Новости
Новые поступления транзисторов и диодов компании "Fairchild Semiconductor"

Новые поступления транзисторов и диодов компании "Fairchild Semiconductor"

4 сентября 2008 г.

Наименование	Краткое описание	Корпус	Минимальная оптовая партия, шт.	Оптовая цена*, руб.
Транзисторы
FDN302P	MOSFET P-канал 20В/2.4А/0.08 Ом Fast switching speed	SOT23-3	2000	12,46
FDP61N20	MOSFET N-канал 200В/61А/0.041Ом/417Вт , встроенный диод, серия "UniFET",100% Avalanche Tested	TO220	250	39,85
FDS3682	MOSFET N-канал 100В/6A/0.035 Oм, диод, PowerTrench	SO8	2000	50,60
FDS2572	MOSFET N-канал 150В/4.9A/0.047 Oм, диод, серия UltraFET PowerTrench	SO8	2500	22,15
FDP2614	MOSFET N-канал 200В/62А/0.0229 Ом/260Вт, встроенный диод, серия Power Trench	TO220	400	76,63
FDMS3662	MOSFET N-канал 100В/49А/0.148 Ом/104Вт , Power Trench	Power56	250	50,85
FDP26N40	MOSFET N-канал 400В/26А/0.016 Ом/265Вт, серия Unifet	TO220	30	56,18
FDP2532	MOSFET N-канал 150В/79А/0.016 Ом/310Вт, встроенный диод, серия Power Trench	TO220AB	250	53,89
FDS5672	MOSFET N-канал 60В/12A/0.01 Oм/2.5Вт, диод, серия PowerTrench ton/toff = 50/64 нс	SO8	2000	23,33
FDP8860	MOSFET N-канал 30В/80А/0.0025Ом/254Вт , серия "PowerTrench"	TO220	400	72,63
ISL9N302AP3	MOSFET N-канал 30В/75А/345Вт/0.0019 Ом Упр.лог.уровнем, оптимизирован для ШИМ, серия UltraFET	TO220AB	250	73,61
HUF75852G3	MOSFET N-канал 150В/75А/500Вт/0.016 Ом серия UltraFET	TO247	30	115,14
FQP17N40	MOSFET N-канал 400В/16А/0.21Ом/170Вт, серия "QFET"	TO220	200	29,13
FCB11N60TM	MOSFET N-канал 600В/11А/0.32 Ом, Ультранизкий заряд затвора (тип. Qg = 40 нК), SuperFET	D2PAK/TO263	800	46,88
FCPF11N60T	MOSFET N-канал 650В/11А/0.38 Ом/36Вт , серия "SuperFET"	TO220F	150	43,43
FCB20N60FTM	MOSFET N-канал 600В/20А/0.15 Ом, Ультранизкий заряд затвора (тип. Qg = 75 нК), SuperFET, быстр.вр.восст.160нс	D2PAK/TO263	800	81,58
FGA15N120FTD	IGBT 1200В/15А/220Вт/Uкэ нас.=1.58В, встроенный диод, trise/fall=80/255нс, field stop trench technology	TO3PN	30	59,33
BF245C	FET N-канал 30ВВ/0.3 Вт, Ic=12-25мА	TO92	500	2,38
BF245A	FET N-канал 30ВВ/0.3 Вт, Ic=2-6.5мА	TO92	1000	2,41
FGA20N120FTD	IGBT 1200В/20А/220Вт/Uкэ нас.=1.6В, встроенный диод, trise/fall=79/217нс, field stop trench technology	TO3PN	30	62,96
FGH80N60FD2	IGBT 600В/80А/290Вт/Uкэ нас.=1.8В, trise/fall=56/50нс, Field Stop IGBT	TO247	150	71,45
HGTG30N60C3D	IGBT серии Ultrafast N-канал 600В/63А/Uкэ(нас)=1,45В, встроенный Hyperfast диод	TO247	30	121,13
HGTG40N60A4	IGBT 600В/75A/693Вт/Uкэ нас.=1.7В, встроенный диод, 200кГц, trise/fall=18/35нс	TO247	60	316,96
HGTG30N60A4D	IGBT серии Ultrafast N-канал 600В/60А/Uкэ(нас)=1,45В, trise/fall=24/90 нс, встроенный диод	TO247	60	191,95
TIP31C	NPN 100В/3А/40Вт	TO220AB	500	8,19
KSP44	NPN 400В/0.3А/0.625Вт	TO92	500	1,44
Диоды
KBU6D	Мост 200 В, 6 А	KBU	500	24,53
FFA30U60DNTU	Диод х2 600В/30А общий катод, быстродействующий trr=90 нс	TO3P	150	50,90

*Приведены оптовые цены с учетом НДС. В случае заказа количества менее оптового, будут действовать мелкооптовые или розничные цены. Специальные ценовые предложения для производственных клиентов.

Более подробную информацию по этим и другим транзисторам, диодам и микросхемам производства компании "Fairchild Semiconductor" вы можете найти на нашем сайте https://www.promelec.ru/fairchild/ и на сайте производителя http://www.fairchildsemi.com

Получить более подробную информацию по продукции "Fairchild Semiconductor" и заказать образцы вы можете, обратившись в отдел дистрибуции:

Бренд-менеджер отдела дистрибуции:
Подрезенко Алексей
E-mail: alexpo@promelec.ru
Телефон: +7 (343) 372-92-42

Техническая поддержка:
Шатунов Максим
E-mail: fairchild@promelec.ru
Телефон: +7 (343) 372-92-27