IGBT (БТИЗ) транзисторы

Новинки

Новинка
IKP40N65H5XKSA1
Наличие:
0 шт
Под заказ:
142 шт
Цена от: 383,44
Новинка
IKA10N60TXKSA1
Наличие:
130 шт
Под заказ:
1 385 шт
Цена от: 111,75
Новинка
IKZA75N65SS5XKSA1
Наличие:
17 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от: 1 815,45
Новинка
DG50Q12T2
Наличие:
12 шт
Под заказ:
580 шт
Цена от: 484,52
Новинка
STGF15H60DF
Наличие:
40 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от: 98,90
Новинка
GD450HFX170C6S
Наличие:
2 шт
Под заказ:
102 шт
Цена от: 16 517,29
Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
(1265)
Акция FS820R08A6P2LBBPSA1 IGBT модуль 750B 820А 33-Pin HYBRIDD-1 Производитель: Infineon Technologies Напряжение коллектор-эмиттер: 750В Ток коллектора: 450А
Наличие:
3 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 98 534,29
FZ2400R17HP4_B29 IGBT модуль 1700B, 2400 А, IHM-B Производитель: Infineon Technologies
Наличие:
0 шт

Под заказ:
2 шт
Цена от:
от 177 515,32
GD100CUY120C1S Производитель: STARPOWER Semiconductor Ltd.
Наличие:
0 шт

Под заказ:
81 шт
Цена от:
от 3 965,48
GD100HFU120C1S IGBTмодуль 1200V, 100A 2 in one-package Производитель: STARPOWER Semiconductor Ltd.
Наличие:
3 шт

Под заказ:
56 шт
Цена от:
от 4 593,13
GD100HFX170C1S Модуль IGBT 1700В 168A Производитель: STARPOWER Semiconductor Ltd. Напряжение коллектор-эмиттер: 1700В Ток коллектора: 168А
Наличие:
4 шт

Под заказ:
1 819 шт
Цена от:
от 4 251,77
GD100HFY120C1S IGBT модуль 1200В 155А 511Вт 150°С Производитель: STARPOWER Semiconductor Ltd. Напряжение коллектор-эмиттер: 1200В Ток коллектора: 155А Максимальная мощность: 511 Вт
Наличие:
6 шт

Под заказ:
152 шт
Цена от:
от 3 696,83
Акция GD150CUY120C1S Модуль IGBT 1200В 150А Производитель: STARPOWER Semiconductor Ltd. Напряжение коллектор-эмиттер: 1200В Ток коллектора: 150А
Наличие:
1 шт

Под заказ:
102 шт
Цена от:
от 3 768,33
GD150HFU120C2S Модуль IGBT 1200В 150А Производитель: STARPOWER Semiconductor Ltd. Напряжение коллектор-эмиттер: 1200В Ток коллектора: 150А
Наличие:
3 шт

Под заказ:
18 шт
Цена от:
от 7 327,24
GD150HFX65C1S Производитель: STARPOWER Semiconductor Ltd.
Наличие:
0 шт

Под заказ:
191 шт
Цена от:
от 3 188,84
GD150HFY120C1S Производитель: STARPOWER Semiconductor Ltd.
Наличие:
0 шт

Под заказ:
110 шт
Цена от:
от 4 649,29
GD200HFU120C2S Модуль IGBT 1200В 262А Производитель: STARPOWER Semiconductor Ltd. Напряжение коллектор-эмиттер: 1200В Ток коллектора: 262А
Наличие:
3 шт

Под заказ:
221 шт
Цена от:
от 5 340,38
Акция GD200HFX170C2S Модуль IGBT 1700В 337A Производитель: STARPOWER Semiconductor Ltd. Напряжение коллектор-эмиттер: 1700В Ток коллектора: 337А
Наличие:
2 шт

Под заказ:
37 шт
Цена от:
от 7 829,43
Акция GD200HFX65C2S Модуль IGBT 650В 247A Производитель: STARPOWER Semiconductor Ltd. Напряжение коллектор-эмиттер: 650В Ток коллектора: 247А
Наличие:
4 шт

Под заказ:
239 шт
Цена от:
от 5 094,23
Новинка GD200HFY120C2S Модуль IGBT 1200В 200A Производитель: STARPOWER Semiconductor Ltd. Напряжение коллектор-эмиттер: 1200В Ток коллектора: 200А
Наличие:
2 шт

Под заказ:
132 шт
Цена от:
от 6 890,71
GD225HFX170C6S Производитель: STARPOWER Semiconductor Ltd.
Наличие:
0 шт

Под заказ:
20 шт
Цена от:
от 11 015,02
GD25FFK120C5SP Модуль IGBT 1200В 25А Производитель: STARPOWER Semiconductor Ltd. Напряжение коллектор-эмиттер: 1200В Ток коллектора: 25А
Наличие:
4 шт

Под заказ:
235 шт
Цена от:
от 4 947,41
GD300HFU120C2S Модуль IGBT 1200В 395А Производитель: STARPOWER Semiconductor Ltd. Напряжение коллектор-эмиттер: 1200В Ток коллектора: 395А
Наличие:
2 шт

Под заказ:
146 шт
Цена от:
от 7 688,19
Акция GD300HFX170C2S IGBT модуль 1700B 300А 2 in one-package 62мм Производитель: STARPOWER Semiconductor Ltd. Напряжение коллектор-эмиттер: 1700В Ток коллектора: 493А
Наличие:
2 шт

Под заказ:
16 шт
Аналоги:
16 шт
Цена от:
от 10 641,53
GD300HFX170C6S IGBT модуль 1700B 300А 2 in one-package Производитель: STARPOWER Semiconductor Ltd.
Наличие:
0 шт

Под заказ:
117 шт
Цена от:
от 10 108,28
Акция GD300HFX170C6S IGBT модуль 1700B 300А 2 in one-package Производитель: STARPOWER Semiconductor Ltd. Напряжение коллектор-эмиттер: 1700В Ток коллектора: 300А
Наличие:
2 шт

Под заказ:
116 шт
Цена от:
от 7 963,54
На странице:

Биполярный транзистор с изолированным затвором, по сути, представляет собой каскадное включение двух транзисторов полевого на входе и биполярного на выходе, применяется, в основном, как мощный ключ в импульсных источниках питания, инверторах и системах управления электрическим приводом.

БТИЗ транзисторы

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (сокращенно — БТИЗ, на английском языке — IGBT) — силовой трехэлектродный полупроводниковый прибор, сочетающий в себе два транзистора на основе одной полупроводниковой структуры. Как правило, он используется в качестве мощного электронного ключа в импульсных источниках питания, а также инверторах. Широкое применение они также нашли в системах управления электрическими приводами, импульсных регуляторах тока, частотно-регулируемых приводах.

Характеристики

Любой электронный прибор, в том числе биполярные транзисторы с изолированным затвором выбирается на основе технических характеристик, которыми он обладает для того, чтобы реализовать возложенные на него задачи. В частности, для БТИЗ транзисторов важными характеристиками являются мощность, рабочее напряжение, рабочая температура, ток, частота. Соответственно, конкретную модель следует выбирать на основании информации из справочника. Кроме этого, можно воспользоваться каталогом на сайте группы компаний «Промэлектроника», где в широком ассортименте представлены биполярные транзисторы с изолированным затвором. Здесь вы можете недорого купить IGBT транзисторы.

Преимущества компании

Группа компаний «Промэлектроника» обладает следующими преимуществами:

  • большой выбор БТИЗ транзисторов, а также другой техники и элементов для производства электронного оборудования;
  • доставка по территории Российской Федерации;
  • продажа товаров оптом и в розницу;
  • помощь в подборе оборудования;
  • гарантия производителя на все представленные товары;
  • различные формы оплаты;
  • приемлемые цены.

Сделайте заказ по телефону, указанному на сайте. В случае возникновения затруднений менеджеры помогут вам.

Цена на IGBT (БТИЗ) транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить IGBT (БТИЗ) транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на IGBT (БТИЗ) транзисторы - от 8.38 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть IGBT (БТИЗ) транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку во все регионы России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе IGBT (БТИЗ) транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"