IGBT (БТИЗ) транзисторы

Новинки

Новинка
IKP40N65H5XKSA1
Наличие:
0 шт
Под заказ:
142 шт
Цена от: 383,44
Новинка
IKA10N60TXKSA1
Наличие:
130 шт
Под заказ:
1 385 шт
Цена от: 111,75
Новинка
IKZA75N65SS5XKSA1
Наличие:
17 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от: 1 815,45
Новинка
DG50Q12T2
Наличие:
12 шт
Под заказ:
580 шт
Цена от: 484,52
Новинка
STGF15H60DF
Наличие:
40 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от: 98,90
Новинка
GD450HFX170C6S
Наличие:
2 шт
Под заказ:
102 шт
Цена от: 16 517,29
Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
(1265)
Акция IRGB4059DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 8 А, 56 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 8 А Импульсный ток коллектора макс.: 16 А Макс. рассеиваемая мощность: 56 Вт Переключаемая энергия: 35 мкДж
Наличие:
225 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 54,61
IRGP4062DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 48 А, 250 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 48 А Импульсный ток коллектора макс.: 72 А Макс. рассеиваемая мощность: 250 Вт Переключаемая энергия: 115 мкДж
Наличие:
47 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 164,35
IRGP4063DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 96 А, 330 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 96 А Импульсный ток коллектора макс.: 144 А Макс. рассеиваемая мощность: 330 Вт Переключаемая энергия: 625 мкДж
Наличие:
243 шт

Под заказ:
990 шт
Цена от:
от 377,37
IRGP50B60PD1PBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 75 А, 390 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 75 А Импульсный ток коллектора макс.: 150 А Макс. рассеиваемая мощность: 390 Вт Переключаемая энергия: 255 мкДж
Наличие:
377 шт

Под заказ:
4 000 шт
Цена от:
от 1 579,18
SKM100GB125DN Силовой модуль IGBT N-канальный 1200В 100А 7-Pin Case D-93 Производитель: Semikron Elektronik GmbH Корпус: SEMITRANS® 2N (Case D93) Напряжение коллектор-эмиттер: 1200В Ток коллектора: 100А
Наличие:
56 шт

Под заказ:
3 шт
Аналоги:
1 шт
Цена от:
от 9 221,25
SKM100GB12T4 Биполярный транзистор IGBT Производитель: Semikron Elektronik GmbH Корпус: SEMITRANS® 2 Напряжение коллектор-эмиттер: 1200В Ток коллектора: 160А
Наличие:
56 шт

Под заказ:
4 шт
Аналоги:
15 шт
Цена от:
от 4 915,73
Акция SKM75GB17E4 Силовой модуль IGBT N-канальный 1700В 88А Производитель: Semikron Elektronik GmbH Корпус: SEMITRANS® 2 Напряжение коллектор-эмиттер: 1700В Ток коллектора: 88А
Наличие:
72 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
14 шт
Цена от:
от 3 691,20
Акция STGF5H60DF Биполярный транзистор IGBT N-канальный 600В 10A 24Вт 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F
Наличие:
180 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 48,92
STGP19NC60HD Биполярный транзистор IGBT, 130 Вт, 21 А, 600 В Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 40 А Импульсный ток коллектора макс.: 60 А Макс. рассеиваемая мощность: 130 Вт Переключаемая энергия: 85 мкДж
Наличие:
711 шт

Под заказ:
2 921 шт
Цена от:
от 223,43
Акция STGP3NC120HD Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 7 А, 75 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200V Макс. ток коллектора: 14A Импульсный ток коллектора макс.: 20A Макс. рассеиваемая мощность: 75W Переключаемая энергия: 236 µJ (on), 290 µJ (off)
Наличие:
247 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 198,97
Акция STGP6NC60HD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 15 А, 56 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 15 А Импульсный ток коллектора макс.: 21 А Макс. рассеиваемая мощность: 56 Вт Переключаемая энергия: 20 мкДж
Наличие:
1 513 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 41,08
XNG450B24KC5A5 IGBT Модуль 1200В, 450А, полумостовой Производитель: Xiner Semiconductor Technology Co., Ltd Напряжение коллектор-эмиттер: 1200В Ток коллектора: 450А
Наличие:
2 478 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
3 670 шт
Цена от:
от 7 529,24
XNG450B24LC5AL Полумостовой модуль IGBT 1200В 450A Производитель: Xiner Semiconductor Technology Co., Ltd Напряжение коллектор-эмиттер: 1200В Ток коллектора: 450А
Наличие:
70 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
2 478 шт
Цена от:
от 6 876,38
APMTI450HB17ED3M IGBT модуль 1700В, 450A, корпус Econodual 3 Производитель: APEMIC Напряжение коллектор-эмиттер: 1700В Ток коллектора: 450А
Наличие:
12 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 16 114,32
AUIRG4PH50S Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 57 А, 200 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 57 А Импульсный ток коллектора макс.: 114 А Макс. рассеиваемая мощность: 200 Вт Переключаемая энергия: 1.8 мДж
Наличие:
0 шт

Под заказ:
500 шт
Цена от:
от 433,14
Акция AUIRGR4045D Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 12 А, 77 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-252AA Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 12 А Импульсный ток коллектора макс.: 18 А Макс. рассеиваемая мощность: 77 Вт Переключаемая энергия: 56 мкДж
Наличие:
27 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 284,24
Акция BSM50GX120DN2BOSA1 Биполярный транзистор IGBT Производитель: Infineon Technologies Напряжение коллектор-эмиттер: 1200В Ток коллектора: 80А Максимальная мощность: 360 Вт
Наличие:
9 шт

Под заказ:
7 шт
Цена от:
от 13 525,86
Акция BSM75GB120DN2 Биполярный транзистор IGBT, 625Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: AG-34MM Напряжение коллектор-эмиттер: 1200В Ток коллектора: 105А Максимальная мощность: 625 Вт
Наличие:
10 шт

Под заказ:
8 шт
Цена от:
от 9 994,33
Акция CM100TX-24S Биполярный транзистор IGBT, 100 А, 1200 В Производитель: Mitsubishi Electric Корпус: Module Конфигурация: Трехфазный инвертер Напряжение коллектор-эмиттер: 1200В Ток коллектора: 100А Максимальная мощность: 750 Вт Входная емкость: 10 нФ Наличие термистора: да
Наличие:
2 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 6 199,92
Акция CM150DX-34SA Биполярный транзистор IGBT, 150 А, 1700 В Производитель: Mitsubishi Electric Корпус: Module
Наличие:
0 шт

Под заказ:
9 шт
Цена от:
от 4 686,63
На странице:

Биполярный транзистор с изолированным затвором, по сути, представляет собой каскадное включение двух транзисторов полевого на входе и биполярного на выходе, применяется, в основном, как мощный ключ в импульсных источниках питания, инверторах и системах управления электрическим приводом.

БТИЗ транзисторы

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (сокращенно — БТИЗ, на английском языке — IGBT) — силовой трехэлектродный полупроводниковый прибор, сочетающий в себе два транзистора на основе одной полупроводниковой структуры. Как правило, он используется в качестве мощного электронного ключа в импульсных источниках питания, а также инверторах. Широкое применение они также нашли в системах управления электрическими приводами, импульсных регуляторах тока, частотно-регулируемых приводах.

Характеристики

Любой электронный прибор, в том числе биполярные транзисторы с изолированным затвором выбирается на основе технических характеристик, которыми он обладает для того, чтобы реализовать возложенные на него задачи. В частности, для БТИЗ транзисторов важными характеристиками являются мощность, рабочее напряжение, рабочая температура, ток, частота. Соответственно, конкретную модель следует выбирать на основании информации из справочника. Кроме этого, можно воспользоваться каталогом на сайте группы компаний «Промэлектроника», где в широком ассортименте представлены биполярные транзисторы с изолированным затвором. Здесь вы можете недорого купить IGBT транзисторы.

Преимущества компании

Группа компаний «Промэлектроника» обладает следующими преимуществами:

  • большой выбор БТИЗ транзисторов, а также другой техники и элементов для производства электронного оборудования;
  • доставка по территории Российской Федерации;
  • продажа товаров оптом и в розницу;
  • помощь в подборе оборудования;
  • гарантия производителя на все представленные товары;
  • различные формы оплаты;
  • приемлемые цены.

Сделайте заказ по телефону, указанному на сайте. В случае возникновения затруднений менеджеры помогут вам.

Цена на IGBT (БТИЗ) транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить IGBT (БТИЗ) транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на IGBT (БТИЗ) транзисторы - от 8.38 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть IGBT (БТИЗ) транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку во все регионы России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе IGBT (БТИЗ) транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"