IGBT (БТИЗ) транзисторы

Новинки

Новинка
IKP40N65H5XKSA1
Наличие:
0 шт
Под заказ:
142 шт
Цена от: 383,44
Новинка
IKA10N60TXKSA1
Наличие:
130 шт
Под заказ:
1 385 шт
Цена от: 111,75
Новинка
IKZA75N65SS5XKSA1
Наличие:
17 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от: 1 815,45
Новинка
DG50Q12T2
Наличие:
12 шт
Под заказ:
580 шт
Цена от: 484,52
Новинка
STGF15H60DF
Наличие:
40 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от: 98,90
Новинка
GD450HFX170C6S
Наличие:
2 шт
Под заказ:
102 шт
Цена от: 16 517,29
Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
(1265)
DFI300HF12I4ME1 IGBT Модуль 1200В, 300А, полумостовой Производитель: Wuxi Leapers Semiconductor Co., Ltd. Корпус: ECONOD-3
Наличие:
1 000 шт

Под заказ:
50 шт
Цена от:
от 6 038,68
DFI450HF12I4ME1 IGBT Модуль 1200В, 450А, полумостовой Производитель: Wuxi Leapers Semiconductor Co., Ltd. Корпус: ECONOD-3 Напряжение коллектор-эмиттер: 1200В Ток коллектора: 450А
Наличие:
3 106 шт

Под заказ:
284 шт
Аналоги:
2 688 шт
Цена от:
от 7 291,93
DFI450HF17I4RE1 IGBT Модуль 1700В, 450А, полумостовой Производитель: Wuxi Leapers Semiconductor Co., Ltd. Конфигурация: Полумост Напряжение коллектор-эмиттер: 1700В Ток коллектора: 450А Наличие термистора: да
Наличие:
3 987 шт

Под заказ:
116 шт
Аналоги:
105 шт
Цена от:
от 9 368,94
DFI600HF17I4RE1 IGBT Модуль 1700В, 600А, полумостовой Производитель: Wuxi Leapers Semiconductor Co., Ltd. Напряжение коллектор-эмиттер: 1700В Ток коллектора: 600А Максимальная мощность: 3906 Вт Входная емкость: 49.5 нФ
Наличие:
553 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
278 шт
Цена от:
от 14 557,70
DG20X06T2 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 20 А Производитель: STARPOWER Semiconductor Ltd. Корпус: TO-247
Наличие:
271 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 179,86
DG40F12T2 Биполярный транзистор IGBT 1200В 80А 487Вт TO-247 Производитель: STARPOWER Semiconductor Ltd. Корпус: TO-247
Наличие:
105 шт

Под заказ:
2 463 шт
Цена от:
от 284,90
DG40X12T2 Биполярный транзистор IGBT 1200В 80А 487Вт TO-247 Производитель: STARPOWER Semiconductor Ltd. Корпус: TO-247
Наличие:
332 шт

Под заказ:
2 136 шт
Цена от:
от 397,58
DG50X06T2 Биполярный транзистор IGBT, 600В 100А 714Вт Производитель: STARPOWER Semiconductor Ltd. Корпус: TO-247
Наличие:
133 шт

Под заказ:
3 149 шт
Цена от:
от 289,92
DG75X07T2L Биполярный транзистор IGBT, 650В 150А 980Вт Производитель: STARPOWER Semiconductor Ltd. Корпус: TO-247
Наличие:
104 шт

Под заказ:
116 шт
Цена от:
от 305,65
FF200R12KT4HOSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 200А, 1100Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: 62 mm Напряжение коллектор-эмиттер: 1200В
Наличие:
178 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
42 шт
Цена от:
от 7 870,34
GT50JR22 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А, 230 Вт Производитель: Toshiba Semiconductor Корпус: TO-3P(N) Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 50A Макс. рассеиваемая мощность: 230W
Наличие:
2 290 шт

Под заказ:
3 000 шт
Цена от:
от 149,42
IGCM06F60GAXKMA1 Mодуль IGBT силовой трехфазный 6А 600В PG-MDIP-24 Производитель: Infineon Technologies Напряжение коллектор-эмиттер: 600В
Наличие:
630 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 726,38
IGP40N65H5XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 74 А, 255 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 650 В Макс. ток коллектора: 74 А Импульсный ток коллектора макс.: 120 А Макс. рассеиваемая мощность: 255 Вт Переключаемая энергия: 390 мкДж
Наличие:
142 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 393,98
Новинка IKA10N60TXKSA1 Транзистор биполярный IGBT, 600В, 11.7А Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220F
Наличие:
130 шт

Под заказ:
1 385 шт
Цена от:
от 111,75
IKQ75N120CH3XKSA1 Биполярный транзистор с изолированным затвором 1.2кВ, 150А, 938Вт, TO-247 Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO247-3-46
Наличие:
268 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 660,63
IKW25N120H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 50 А, 326 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 50 А Импульсный ток коллектора макс.: 100 А Макс. рассеиваемая мощность: 326 Вт Переключаемая энергия: 2.65 мДж
Наличие:
1 338 шт

Под заказ:
490 шт
Цена от:
от 256,16
IKW40N120H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А, 483 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 80 А Импульсный ток коллектора макс.: 160 А Макс. рассеиваемая мощность: 483 Вт Переключаемая энергия: 4.4 мДж
Наличие:
838 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 382,19
IKW40N120T2FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 75 А, 480 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 75 А Импульсный ток коллектора макс.: 160 А Макс. рассеиваемая мощность: 480 Вт Переключаемая энергия: 5.25 мДж
Наличие:
844 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 320,78
IKW75N60TFKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 428 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 80 А Импульсный ток коллектора макс.: 225 А Макс. рассеиваемая мощность: 428 Вт Переключаемая энергия: 4.5 мДж
Наличие:
1 478 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 411,29
Акция IRG4PC40FPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 49 А, 160 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 49 А Импульсный ток коллектора макс.: 200 А Макс. рассеиваемая мощность: 160 Вт Переключаемая энергия: 370 мкДж
Наличие:
153 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 564,20
На странице:

Биполярный транзистор с изолированным затвором, по сути, представляет собой каскадное включение двух транзисторов полевого на входе и биполярного на выходе, применяется, в основном, как мощный ключ в импульсных источниках питания, инверторах и системах управления электрическим приводом.

БТИЗ транзисторы

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (сокращенно — БТИЗ, на английском языке — IGBT) — силовой трехэлектродный полупроводниковый прибор, сочетающий в себе два транзистора на основе одной полупроводниковой структуры. Как правило, он используется в качестве мощного электронного ключа в импульсных источниках питания, а также инверторах. Широкое применение они также нашли в системах управления электрическими приводами, импульсных регуляторах тока, частотно-регулируемых приводах.

Характеристики

Любой электронный прибор, в том числе биполярные транзисторы с изолированным затвором выбирается на основе технических характеристик, которыми он обладает для того, чтобы реализовать возложенные на него задачи. В частности, для БТИЗ транзисторов важными характеристиками являются мощность, рабочее напряжение, рабочая температура, ток, частота. Соответственно, конкретную модель следует выбирать на основании информации из справочника. Кроме этого, можно воспользоваться каталогом на сайте группы компаний «Промэлектроника», где в широком ассортименте представлены биполярные транзисторы с изолированным затвором. Здесь вы можете недорого купить IGBT транзисторы.

Преимущества компании

Группа компаний «Промэлектроника» обладает следующими преимуществами:

  • большой выбор БТИЗ транзисторов, а также другой техники и элементов для производства электронного оборудования;
  • доставка по территории Российской Федерации;
  • продажа товаров оптом и в розницу;
  • помощь в подборе оборудования;
  • гарантия производителя на все представленные товары;
  • различные формы оплаты;
  • приемлемые цены.

Сделайте заказ по телефону, указанному на сайте. В случае возникновения затруднений менеджеры помогут вам.

Цена на IGBT (БТИЗ) транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить IGBT (БТИЗ) транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на IGBT (БТИЗ) транзисторы - от 8.38 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть IGBT (БТИЗ) транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку во все регионы России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе IGBT (БТИЗ) транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"