Полевые транзисторы

Новинки

Новинка
IPB010N06NATMA1
Наличие:
0 шт
Под заказ:
500 шт
Цена от: 560,34
Новинка
STT6N3LLH6
Наличие:
913 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от: 39,90
Новинка
STW11NK90Z
Наличие:
298 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от: 163,83
Новинка
IPD70R900P7SAUMA1
Наличие:
450 шт
Под заказ:
2 300 шт
Цена от: 39,30
Новинка
AUIRFR4615TRL
Наличие:
288 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от: 220,10
Новинка
AUIRLR120NTRL
Наличие:
196 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от: 161,43
Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
(7771)
IRFD9110PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 700мА Производитель: Vishay Корпус: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 700мА Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8.7нКл Входная емкость: 200пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRFD9120PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 1А 1.3Вт, 0.6 Ом Производитель: Vishay Корпус: DIP-4 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 1A Сопротивление открытого канала: 600 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 390пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRFD9210PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 0.4А 1.3Вт, 3.0 Ом Производитель: Vishay Корпус: DIP-4 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 400мА Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8.9нКл Входная емкость: 170пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFD9220PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 0.56А 1.3Вт, 1.5 Ом Производитель: Vishay Корпус: DIP-4 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 560мА Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 340пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRFDC20PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 320мА Производитель: Vishay Корпус: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 320мА Сопротивление открытого канала: 4.4 Ом Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFH3702TRPBF Полевой транзистор N-канальный 30В 16A 8-Pin PQFN EP лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 7.1 мОм Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 1510пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFH3707TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 12A PQFN56 Производитель: Infineon Technologies Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 12A(Ta),29A(Tc) Сопротивление открытого канала: 12.4 мОм @ 12А, 10В Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В @ 25 µA Заряд затвора: 8.1нКл @ 4.5В Входная емкость: 755пФ @ 15В Тип монтажа: Surface Mount
IRFH4210DTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 44A 8PQFN Производитель: Infineon Technologies Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 44A(Ta) Сопротивление открытого канала: 1.10 мОм @ 50А, 10В Мощность макс.: 3.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В @ 100 µA Заряд затвора: 77нКл @ 10В Входная емкость: 4812пФ @ 13В Тип монтажа: Surface Mount
IRFH4253DTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 64A/145A 8-Pin PQFN EP лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 64A,145A Сопротивление открытого канала: 3.2 мОм @ 30А, 10В Мощность макс.: 31Вт, 50Вт Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount
IRFH5006TRPBF Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 100 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 4.1 мОм Мощность макс.: 3.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 100нКл Входная емкость: 4175пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFH5010TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 13A Производитель: Infineon Technologies Корпус: PQFN (5x6) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 9 мОм Мощность макс.: 3.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 98нКл Входная емкость: 4340пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFH5053TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 9.3A PQFN56 Производитель: Infineon Technologies Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 9.3A(Ta),46A(Tc) Сопротивление открытого канала: 18 мОм @ 9.3А, 10В Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4.9В @ 100 µA Заряд затвора: 36нКл @ 10В Входная емкость: 1510пФ @ 50В Тип монтажа: Surface Mount
IRFH5110TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 11A 8-PQFN Производитель: Infineon Technologies Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 11A(Ta),63A(Tc) Сопротивление открытого канала: 12.4 мОм @ 37А, 10В Мощность макс.: 3.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 100 µA Заряд затвора: 72нКл @ 10В Входная емкость: 3152пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
IRFH5215TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 5A Производитель: Infineon Technologies Корпус: PQFN (5x6) Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 58 мОм Мощность макс.: 3.6Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 32нКл Входная емкость: 1350пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFH5302TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 32A 5X6 PQFN Производитель: Infineon Technologies Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 32A(Ta),100A(Tc) Сопротивление открытого канала: 2.1 мОм @ 50А, 10В Мощность макс.: 3.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В @ 100 µA Заряд затвора: 76нКл @ 10В Входная емкость: 4400пФ @ 15В Тип монтажа: Surface Mount
IRFH5304 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 22A 8VQFN Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 22А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount
IRFH5304TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 22A 8VQFN Производитель: Infineon Technologies Корпус: PQFN (5x6) Single Die Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 22A(Ta),79A(Tc) Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм @ 47А, 10В Мощность макс.: 3.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В @ 50 µA Заряд затвора: 41нКл @ 10В Входная емкость: 2360пФ @ 10В Тип монтажа: Surface Mount
IRFH7084TRPBF Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 100 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: Power56
IRFH7085TRPBF Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 23 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 100A Сопротивление открытого канала: 3.2 мОм Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В Заряд затвора: 165нКл Входная емкость: 6460пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFH7446TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 85A PQFN 5X6 Производитель: Infineon Technologies Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 85A(Tc) Сопротивление открытого канала: 3.3 мОм @ 50А, 10В Мощность макс.: 78Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В @ 100 µA Заряд затвора: 98нКл @ 10В Входная емкость: 3174пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы

Полевые транзисторы (другое название — униполярные) — это полупроводниковые приборы, которые работают на базе управления электрическим сопротивлением токопроводящего канала поперечным электрическим полем, создаваемым приложенным к затвору напряжением. Области использования полевых транзисторов чрезвычайно широки — аналоговые и цифровые интегральные схемы, электронных часах, пультах дистанционного управления и так далее.

Выбор транзистора

Транзисторы всегда выбирают в соответствии с их видами и характеристиками. Для этого используют справочники, дополнительную литературу или интернет-ресурсы. Полевые транзисторы делятся на две подтипа — с управляющим p-n переходом, а также с изолированным затвором. Каждый из них делится еще на ряд подтипов. Их вы можете недорого купить у группы компаний «Промэлектроника». Всю необходимую информацию и характеристики вы найдете в каталоге на официальном сайте предприятия.

Преимущества компании

Группа компаний «Промэлектроника» выделяется среди конкурентов наличием большого количества преимуществ, которые стали результатом ее работы на рынке разработки и реализации товаров для электротехники с 1993 года. Итак, к преимуществам относится:

  • большой выбор товаров для электротехники и электроники, запасные части, комплектующие и прочее;
  • наличие собственного большого склада, что обеспечивает постоянное наличие необходимой продукции;
  • возможность торговли товарами оптом и в розницу;
  • различные формы оплаты;
  • консультации на предмет выбора необходимого вам оборудования;
  • доставка покупок по территории Российской Федерации;
  • низкие цены.

Чтобы подробно ознакомиться с представленными товарами, пожалуйста, перейдите в каталог. В случае возникновения вопросов обращайтесь к менеджерам.

Цена на Полевые транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Полевые транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Полевые транзисторы - от 4.22 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Полевые транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку во все регионы России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Полевые транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"