Полевые транзисторы

Новинки

Новинка
IPB010N06NATMA1
Наличие:
200 шт
Под заказ:
500 шт
Цена от: 532,27
Новинка
STT6N3LLH6
Наличие:
914 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от: 41,01
Новинка
STW11NK90Z
Наличие:
298 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от: 170,31
Новинка
IPD70R900P7SAUMA1
Наличие:
391 шт
Под заказ:
2 300 шт
Цена от: 36,84
Новинка
AUIRFR4615TRL
Наличие:
288 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от: 226,27
Новинка
AUIRLR120NTRL
Наличие:
196 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от: 165,96
Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
(7772)
BUK9Y11-80EX Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 84A LFPAK Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK56 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 84A(Tc) Сопротивление открытого канала: 10 мОм @ 25А, 10В Мощность макс.: 194Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В @ 1mA Заряд затвора: 44.2нКл @ 5В Входная емкость: 6506пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
BUK9Y19-75B,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 48.2A LFPAK Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK56 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 48.2A(Tc) Сопротивление открытого канала: 18 мОм @ 20А, 10В Мощность макс.: 106Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.15В @ 1mA Заряд затвора: 30нКл @ 5В Входная емкость: 3096пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
BUK9Y21-40E,115 Полевой транзистор N-канальный 40В 33A автомобильного применения 5-Pin(4+Tab) LFPAK лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 33A Сопротивление открытого канала: 17 мОм Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В Заряд затвора: 7нКл Входная емкость: 824пФ Тип монтажа: Surface Mount
BUK9Y25-60E,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 34A LFPAK Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK56 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 34A(Tc) Сопротивление открытого канала: 21.5 мОм @ 10А, 10В Мощность макс.: 65Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В @ 1mA Заряд затвора: 12нКл @ 5В Входная емкость: 1500пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
BUK9Y29-40E,115 Полевой транзистор N-канальный 40В 25A LFPAK Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK56 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 25A(Tc) Сопротивление открытого канала: 25 мОм @ 5А, 10В Мощность макс.: 37Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В @ 1mA Заряд затвора: 5нКл @ 5В Входная емкость: 664пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
BUK9Y38-100E,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 30A LFPAK Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK56 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 30A(Tc) Сопротивление открытого канала: 38 мОм @ 5А, 5В Мощность макс.: 94.9Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В @ 1mA Заряд затвора: 21.6нКл @ 5В Входная емкость: 2541пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
BUK9Y3R0-40E,115 Полевой транзистор N-канальный 40В 100A LFPAK Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK56 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 100A(Tc) Сопротивление открытого канала: 2.5 мОм @ 25А, 10В Мощность макс.: 194Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В @ 1mA Заряд затвора: 35.5нКл @ 5В Входная емкость: 5962пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
BUK9Y3R5-40E,115 Транзистор полевой N-канальный 40В 100A Aвтомобильного применения 5-Pin(4+Tab) LFPAK лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 100A Сопротивление открытого канала: 3.6 мОм Мощность макс.: 167Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В Заряд затвора: 30.2нКл Входная емкость: 5137пФ Тип монтажа: Surface Mount
BUK9Y43-60E,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 22A LFPAK Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK56 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 22A(Tc) Сопротивление открытого канала: 41 мОм @ 5А, 10В Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В @ 1mA Заряд затвора: 8.2нКл @ 5В Входная емкость: 880пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
BUK9Y4R4-40E,115 Транзистор полевой N-канальный 40В 100A Aвтомобильного применения 5-Pin(4+Tab) LFPAK лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 100A Сопротивление открытого канала: 3.7 мОм Мощность макс.: 147Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В Заряд затвора: 26.8нКл Входная емкость: 4077пФ Тип монтажа: Surface Mount
BUK9Y4R8-60E,115 Транзистор полевой N-канальный 60В 100A LFPAK Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK56 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 100A(Tc) Сопротивление открытого канала: 4.1 мОм @ 25А, 10В Мощность макс.: 238Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В @ 1mA Заряд затвора: 50нКл @ 5В Входная емкость: 7853пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
BUK9Y53-100B,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 23A LFPAK Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK56 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 23A(Tc) Сопротивление открытого канала: 49 мОм @ 10А, 10В Мощность макс.: 75Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В @ 1mA Заряд затвора: 18нКл @ 5В Входная емкость: 2130пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
BUK9Y59-60E,115 Полевой транзистор N-канальный 60В LFPAK Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK56 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 16.7A(Tc) Сопротивление открытого канала: 52 мОм @ 5А, 10В Мощность макс.: 37Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В @ 1mA Заряд затвора: 6.1нКл @ 5В Входная емкость: 715пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
BUK9Y6R0-60E,115 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 100 А Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 100A Сопротивление открытого канала: 5.2 мОм Мощность макс.: 195Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В Заряд затвора: 39.4нКл Входная емкость: 6319пФ Тип монтажа: Surface Mount
BUK9Y72-80E,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В LFPAK Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK56 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 15A(Tc) Сопротивление открытого канала: 72 мОм @ 5А, 10В Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В @ 1mA Заряд затвора: 7.9нКл @ 5В Входная емкость: 898пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
BUK9Y7R6-40E,115 Полевой транзистор N-канальный 40В 79A автомобильного применения 5-Pin(4+Tab) LFPAK лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 79A(Tc) Сопротивление открытого канала: 6 мОм @ 20А, 10В Мощность макс.: 95Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В @ 1mA Заряд затвора: 16.4нКл @ 5В Входная емкость: 2403пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
BUK9Y8R7-60E,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В LFPAK Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK56 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 86A(Tc) Сопротивление открытого канала: 7.5 мОм @ 20А, 10В Мощность макс.: 147Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В @ 1mA Заряд затвора: 31нКл @ 5В Входная емкость: 4570пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
Акция BUZ11 Полевой транзистор, N-канальный, 50 В, 30 А, 75 Вт, 0.04 Ом Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB
BUZ11_NR4941 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 30А 75Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 75Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Входная емкость: 2000пФ Тип монтажа: Through Hole
BUZ30AHXKSA1 Транзистор полевой N-канальный 200В 21A серия OPTIMOS TO220 Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 21A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы

Полевые транзисторы (другое название — униполярные) — это полупроводниковые приборы, которые работают на базе управления электрическим сопротивлением токопроводящего канала поперечным электрическим полем, создаваемым приложенным к затвору напряжением. Области использования полевых транзисторов чрезвычайно широки — аналоговые и цифровые интегральные схемы, электронных часах, пультах дистанционного управления и так далее.

Выбор транзистора

Транзисторы всегда выбирают в соответствии с их видами и характеристиками. Для этого используют справочники, дополнительную литературу или интернет-ресурсы. Полевые транзисторы делятся на две подтипа — с управляющим p-n переходом, а также с изолированным затвором. Каждый из них делится еще на ряд подтипов. Их вы можете недорого купить у группы компаний «Промэлектроника». Всю необходимую информацию и характеристики вы найдете в каталоге на официальном сайте предприятия.

Преимущества компании

Группа компаний «Промэлектроника» выделяется среди конкурентов наличием большого количества преимуществ, которые стали результатом ее работы на рынке разработки и реализации товаров для электротехники с 1993 года. Итак, к преимуществам относится:

  • большой выбор товаров для электротехники и электроники, запасные части, комплектующие и прочее;
  • наличие собственного большого склада, что обеспечивает постоянное наличие необходимой продукции;
  • возможность торговли товарами оптом и в розницу;
  • различные формы оплаты;
  • консультации на предмет выбора необходимого вам оборудования;
  • доставка покупок по территории Российской Федерации;
  • низкие цены.

Чтобы подробно ознакомиться с представленными товарами, пожалуйста, перейдите в каталог. В случае возникновения вопросов обращайтесь к менеджерам.

Цена на Полевые транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Полевые транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Полевые транзисторы - от 4.22 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Полевые транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку во все регионы России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Полевые транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"