Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
IRLR8726PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 86А 75Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 86A
Сопротивление открытого канала: 5.8 мОм
Мощность макс.: 75Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В
Заряд затвора: 23нКл
Входная емкость: 2150пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRLR8729PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 58A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 58A
Сопротивление открытого канала: 8.9 мОм
Мощность макс.: 55Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В
Заряд затвора: 16нКл
Входная емкость: 1350пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRLR8729TRPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 58A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 58A
Сопротивление открытого канала: 8.9 мОм
Мощность макс.: 55Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В
Заряд затвора: 16нКл
Входная емкость: 1350пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRLR8743PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 160А 135Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 160A
Сопротивление открытого канала: 3.1 мОм
Мощность макс.: 135Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В
Заряд затвора: 59нКл
Входная емкость: 4880пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRLR9343PBF
Транзистор полевой P-канальный 55В 20А 79Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 20A
Сопротивление открытого канала: 105 мОм
Мощность макс.: 79Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 1В
Заряд затвора: 47нКл
Входная емкость: 660пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRLS3034-7PPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 240A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK-7
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 240A
Сопротивление открытого канала: 1.4 мОм
Мощность макс.: 380Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Заряд затвора: 180нКл
Входная емкость: 10990пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRLS3034PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 343А 375Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 195A
Сопротивление открытого канала: 1.7 мОм
Мощность макс.: 375Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Заряд затвора: 162нКл
Входная емкость: 10315пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRLS3036-7PPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 240 А
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK (7-Lead)
IRLS3036TRL7PP
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 240A D2PAK-7
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO263-7
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 240A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 1.9 мОм @ 180А, 10В
Мощность макс.: 380Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В @ 250 µA
Заряд затвора: 160нКл @ 4.5В
Входная емкость: 11270пФ @ 50В
Тип монтажа: Surface Mount
IRLS3036TRLPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 195 А
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
IRLS3813TRLPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 160 А
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
IRLS4030-7PPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 190А 370Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK-7
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 190A
Сопротивление открытого канала: 3.9 мОм
Мощность макс.: 370Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Заряд затвора: 140нКл
Входная емкость: 11490пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRLS4030PBF
Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 180 А
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2Pak (TO-263)
IRLS4030TRLPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 180A D2PAK
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 180A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 4.3 мОм @ 110А, 10В
Мощность макс.: 370Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В @ 250 µA
Заряд затвора: 130нКл @ 4.5В
Входная емкость: 11360пФ @ 50В
Тип монтажа: Surface Mount
IRLSL3036PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 195A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-262
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 195A
Сопротивление открытого канала: 2.4 мОм
Мощность макс.: 380Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Заряд затвора: 140нКл
Входная емкость: 11210пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRLU014PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 7.7A
Производитель: Vishay
Корпус: TO-251AA
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 7.7A
Сопротивление открытого канала: 200 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 8.4нКл
Входная емкость: 400пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRLU024PBF
Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 14 А
Производитель: Vishay
Корпус: TO-251
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 14A
Сопротивление открытого канала: 100 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 18нКл
Входная емкость: 870пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRLU120
Транзистор полевой N-канальный 100В 10A
Производитель: UMW Youtai Semiconductor
Корпус: TO-251
IRLU120
Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 7.7 А, 42 Вт
Производитель: Vishay
Корпус: TO-251AA
IRLU2905PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 42А 110Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-251AA
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 42A
Мощность макс.: 110Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.