to220

Фильтр
  • Спецпредложения
  • Новинки
to220 (1019)
MBR20100CT Диоды Шоттки сборка 100В Производитель: Master Instrument Corporation Корпус: TO-220AB
Наличие:
707 шт

Под заказ:
950 шт
Аналоги:
9 446 шт
Цена от:
от 31,30
STP7NK40Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 5.4А 70Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 5.4A Сопротивление открытого канала: 1 Ом Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 26нКл Входная емкость: 535пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
641 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 29,60
STP62NS04Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 33В 62A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 33В Ток стока макс.: 62A Сопротивление открытого канала: 15 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 47нКл Входная емкость: 1330пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
359 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 31,71
STPS10H100CT Диоды Шоттки сборка 100В Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB
Наличие:
121 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 39,51
IRFB7787PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 83A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 76A Сопротивление открытого канала: 8.4 мОм Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В Заряд затвора: 109нКл Входная емкость: 4020пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
114 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 45,65
STP6NK90Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 5.8А 140Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 5.8A Сопротивление открытого канала: 2 Ом Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 60.5нКл Входная емкость: 1350пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
180 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 267,37
IRFB7430PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 195А 375Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 195A Сопротивление открытого канала: 1.3 мОм Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 460нКл Входная емкость: 14240пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
150 шт

Под заказ:
1 290 шт
Цена от:
от 131,06
IRG4BC30FDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 31 А, 100 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 31 А Импульсный ток коллектора макс.: 124 А Макс. рассеиваемая мощность: 100 Вт Переключаемая энергия: 630 мкДж
Наличие:
54 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 754,06
STP21NM60ND Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 17А 140Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 220 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 1800пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
51 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 124,31
STP8NK80Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 140Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 6.2A Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 46нКл Входная емкость: 1320пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
186 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 172,61
IRFB7734PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 183А 290Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 183A Сопротивление открытого канала: 3.5 мОм Мощность макс.: 290Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В Заряд затвора: 270нКл Входная емкость: 10150пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
200 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 105,48
STP10NM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 8A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 550 мОм Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 540пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
245 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 190,76
STP36NF06L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 30А 70Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 660пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
49 шт

Под заказ:
178 шт
Цена от:
от 92,03
STPS41H100CT Диоды Шоттки сборка 100В Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB
Наличие:
90 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 193,24
TS820-600T Тиристор 600В 8А 200мкА (Логический уровень) Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Напряжение закрытого состояния: 600В Напряжение управления (Vgt) (макс.): 800мВ Ток управления (Igt) (макс.): 200мкА Напряжение открытого состояния (Vtm) (Max): 1.6В Ток открытого состояния постоянный (It (AV)) (макс.): Ток открытого состояния импульсный (It (RMS)) (макс.): Ток удержания (Ih) (Макс.): 5мА Ток утечки (макс.): 5мкА Предельный ток на 50, 60 Гц (Itsm): 70А, 73А Тип тиристора: Повышенной чувствительности
Наличие:
194 шт

Под заказ:
110 шт
Цена от:
от 89,34