sot223

Фильтр
  • Спецпредложения
  • Новинки
sot223 (167)
Z0107MN 5AA4 Симистор 600В 1А 5мА 4Q Производитель: ST Microelectronics Корпус: SOT-223 Triac Type: Logic - Sensitive Gate Voltage - Off State: 600V Current - On State (It (RMS)) (Max): 1A Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.3V Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 8A, 8.5A Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 5mA Current - Hold (Ih) (Max): 10mA
Наличие:
1 780 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 12,10
BCP68-25,115 Биполярный транзистор, NPN, 20 В, 2 А, 1.35 Вт Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 20 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 650 мВт Коэффициент усиления hFE: 160 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 170 МГц
Наличие:
138 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 4,29
Z0103MN 5AA4 Симистор 600В 1А 3мА 4Q Производитель: ST Microelectronics Корпус: SOT-223 Triac Type: Logic - Sensitive Gate Voltage - Off State: 600V Current - On State (It (RMS)) (Max): 1A Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.3V Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 8A, 8.5A Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 3mA Current - Hold (Ih) (Max): 7mA
Наличие:
5 704 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 10,77
STN3NF06L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 4А 3.3Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 3.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В Заряд затвора: 9нКл Входная емкость: 340пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
76 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 26,84
BSP149H6327 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 0.66А 1.8Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 0.66A Мощность макс.: 1.8Вт Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
61 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 75,87
BSP225,115 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 250В 225мА Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 225мА Сопротивление открытого канала: 15 Ом Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В Входная емкость: 90пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
352 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 42,98
LD1117S25CTR Линейный стабилизатор с низким падением напряжения положительной полярности, 2.5 В, 0.8 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: SOT-223 Тип стабилизатора: Positive Fixed Выходное напряжение: 2.5V Выходной ток: 800mA Максимальное входное напряжение: 15V
Наличие:
2 681 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 18,57
BSP372NH6327XTSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.7А 1.8Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 1.7A Мощность макс.: 1.8Вт Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
2 913 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 45,93
STN3N40K3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 1.8A Производитель: ST Microelectronics Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 1.8A Сопротивление открытого канала: 3.4 Ом Мощность макс.: 3.3Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 165пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
1 187 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 34,48
BSP51,115 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 60 В, 1 А, 1.25 Вт Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 1.25 Вт Коэффициент усиления hFE: 2000 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 200 МГц
Наличие:
490 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 28,35
BSP373NH6327XTSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.7А 1.8Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 1.7A Мощность макс.: 1.8Вт Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
22 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 27,03
STN4NF20L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 1A Производитель: ST Microelectronics Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 1A Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом Мощность макс.: 3.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 0.9нКл Входная емкость: 150пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
1 159 шт

Под заказ:
840 шт
Цена от:
от 25,77
BCP54,115 Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 1 А, 0.65 Вт Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 960 мВт Коэффициент усиления hFE: 63 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 180 МГц
Наличие:
5 045 шт

Под заказ:
600 шт
Цена от:
от 10,48
STN3P6F6 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 3А 0.16 Ом, 2,6Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: Сопротивление открытого канала: 160 мОм Мощность макс.: 2.6Вт Тип транзистора: P-канальный Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 6.4нКл Входная емкость: 340пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
229 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 128,99
IPS021LTR Ключ MOSFET нижнего плеча 5А Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-223 Тип переключателя: General Purpose Число выходов: 1 Отношение Вход:Выход: 1:1 Конфигурация выхода: Low Side Тип выхода: N-Channel Интерфейс: On/Off Напряжение на нагрузке: 35V (Max) Выходной ток Макс.: 1.4A Сопротивление открытого канала: 130 mOhm
Наличие:
58 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 194,94