infineon

Фильтр
  • Спецпредложения
  • Новинки
infineon (1389)
IRG4PSH71UDPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 99 А, 350 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: Super-247 (TO-274AA) Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 99 А Импульсный ток коллектора макс.: 200 А Макс. рассеиваемая мощность: 350 Вт Переключаемая энергия: 8.8 мДж
Наличие:
15 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 1 021,76
IRG7PH35UDPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 50 А, 180 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 50 А Импульсный ток коллектора макс.: 60 А Макс. рассеиваемая мощность: 180 Вт Переключаемая энергия: 1.06 мДж
Наличие:
87 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 329,42
IRGB4620DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 32 А, 140 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 32 А Импульсный ток коллектора макс.: 36 А Макс. рассеиваемая мощность: 140 Вт Переключаемая энергия: 75 мкДж
Наличие:
46 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 394,25
IRGB4630DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 47 А, 206 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 47 А Импульсный ток коллектора макс.: 54 А Макс. рассеиваемая мощность: 206 Вт Переключаемая энергия: 95 мкДж
Наличие:
200 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 268,82
IRGP20B60PDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 220 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 40 А Импульсный ток коллектора макс.: 80 А Макс. рассеиваемая мощность: 220 Вт Переключаемая энергия: 95 мкДж
Наличие:
95 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 671,68
IRGP4650DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 76 А, 268 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 76 А Импульсный ток коллектора макс.: 105 А Макс. рассеиваемая мощность: 268 Вт Переключаемая энергия: 390 мкДж
Наличие:
73 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 583,41
IRGPS4067DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 240 А, 750 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: Super-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 240 А Импульсный ток коллектора макс.: 360 А Макс. рассеиваемая мощность: 750 Вт Переключаемая энергия: 5.75 мДж
Наличие:
62 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 1 584,95
IRGPS46160DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 240 А, 750 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: Super-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 240 А Импульсный ток коллектора макс.: 360 А Макс. рассеиваемая мощность: 750 Вт Переключаемая энергия: 5.75 мДж
Наличие:
67 шт

Под заказ:
40 шт
Цена от:
от 1 788,82
IRL1404ZSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 75A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 3.1 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.7В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 5080пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
1 000 шт
Цена от:
от 470,45
IRL520NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 10A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 440пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
1 000 шт
Цена от:
от 105,38
IRL540NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 36A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 36A Сопротивление открытого канала: 44 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 74нКл Входная емкость: 1800пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
218 шт

Под заказ:
800 шт
Цена от:
от 99,84
IRLB8721PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 62А 65Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 62A Сопротивление открытого канала: 8.7 мОм Мощность макс.: 65Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 1077пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
363 шт

Под заказ:
990 шт
Цена от:
от 92,26
IRLHS6242TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 10A Производитель: Infineon Technologies Корпус: PQFN6-(2x2) Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 11.7 мОм Мощность макс.: 1.98Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 1110пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
2 232 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 36,90
IRLI3705NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 52A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Full-Pak Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 52A Сопротивление открытого канала: 10 мОм Мощность макс.: 58Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 98нКл Входная емкость: 3600пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
39 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 163,88
IRLL024ZTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 5А 2.8Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 60 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 380пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
2 908 шт

Под заказ:
2 000 шт
Цена от:
от 48,11