• Главная
  • Результаты поиска "igbt транзисторы"

igbt транзисторы

Фильтр
  • Спецпредложения
  • Новинки
igbt транзисторы (186)
DG50X06T2 Биполярный транзистор IGBT, 600В 100А 714Вт Производитель: STARPOWER Semiconductor Ltd. Корпус: TO-247
Наличие:
133 шт

Под заказ:
3 149 шт
Цена от:
от 289,01
DG75X07T2L Биполярный транзистор IGBT, 650В 150А 980Вт Производитель: STARPOWER Semiconductor Ltd. Корпус: TO-247
Наличие:
104 шт

Под заказ:
106 шт
Цена от:
от 312,23
IHW40N135R5XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А 394 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3
Наличие:
192 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 364,63
DG75X12T2 Биполярный транзистор IGBT, 1200В 150A TO-247 PLUS Производитель: STARPOWER Semiconductor Ltd. Корпус: TO-247
Наличие:
34 шт

Под заказ:
1 300 шт
Цена от:
от 811,61
IKW40T120FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 270 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO247-3-46 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200V Макс. ток коллектора: 40A
Наличие:
14 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 1 257,81
IKZA75N65SS5XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 650В 75А Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247-4L
Наличие:
17 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 1 851,40
STGD18N40LZT4 Биполярный транзистор IGBT, 375 В, 30 А, 150 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK Макс. напр. коллектор-эмиттер: 420 В Макс. ток коллектора: 25 А Импульсный ток коллектора макс.: 40 А Макс. рассеиваемая мощность: 125 Вт
Наличие:
409 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 102,62
IHW30N160R5XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1600 В, 30 А, 310 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO247-3-46 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1600 В Макс. ток коллектора: 30 А Макс. рассеиваемая мощность: 310 Вт
Наличие:
1 915 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 319,29
IHW30N160R2FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1600 В, 30 А, 310 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1600V Макс. ток коллектора: 30A Макс. рассеиваемая мощность: 310W
Наличие:
82 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 1 842,70
IRG4PF50WPBF Биполярный транзистор IGBT, 900 В, 51 А, 200 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 900 В Макс. ток коллектора: 51 А Импульсный ток коллектора макс.: 204 А Макс. рассеиваемая мощность: 200 Вт Переключаемая энергия: 190 мкДж
Наличие:
51 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 894,29
IRG4PH40UDPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 160 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 41 А Импульсный ток коллектора макс.: 82 А Макс. рассеиваемая мощность: 160 Вт Переключаемая энергия: 1.8 мДж
Наличие:
18 шт

Под заказ:
12 шт
Цена от:
от 1 117,50
DG40X12T2 Биполярный транзистор IGBT 1200В 80А 487Вт TO-247 Производитель: STARPOWER Semiconductor Ltd. Корпус: TO-247
Наличие:
332 шт

Под заказ:
2 136 шт
Цена от:
от 365,62
DG40F12T2 Биполярный транзистор IGBT 1200В 80А 487Вт TO-247 Производитель: STARPOWER Semiconductor Ltd. Корпус: TO-247
Наличие:
177 шт

Под заказ:
2 373 шт
Цена от:
от 291,45
DG75Q12T2 Биполярный транзистор IGBT 1200В 150A 937Вт Производитель: STARPOWER Semiconductor Ltd. Корпус: TO-247
Наличие:
27 шт

Под заказ:
3 126 шт
Цена от:
от 534,24
IKA10N60TXKSA1 Транзистор биполярный IGBT, 600В, 11.7А Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220F
Наличие:
125 шт

Под заказ:
1 365 шт
Цена от:
от 111,91