igbt 1200v

Фильтр
  • Спецпредложения
  • Новинки
igbt 1200v (63)
IKW25T120FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 50 А, 190 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 50 А Импульсный ток коллектора макс.: 75 А Макс. рассеиваемая мощность: 190 Вт Переключаемая энергия: 4.2 мДж
Наличие:
40 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 570,34
IRG7PH35UDPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 50 А, 180 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 50 А Импульсный ток коллектора макс.: 60 А Макс. рассеиваемая мощность: 180 Вт Переключаемая энергия: 1.06 мДж
Наличие:
87 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 329,42
SKW25N120FK Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 46 А, 313 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 46 А Импульсный ток коллектора макс.: 84 А Макс. рассеиваемая мощность: 313 Вт Переключаемая энергия: 3.7 мДж
Наличие:
22 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 1 393,34
IRG7PH46UD-EP Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 108 А, 390 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AD Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 40 А Импульсный ток коллектора макс.: 160 А Макс. рассеиваемая мощность: 390 Вт Переключаемая энергия: 2.61 мДж
Наличие:
33 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 2 409,67
FF100R12RT4HOSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 100 А, 555 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: AG-34MM
Наличие:
22 шт

Под заказ:
20 шт
Цена от:
от 6 266,85
FP25R12W2T4BOMA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 25A, 175Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: EasyPIM™ 2B Напряжение коллектор-эмиттер: 1200В Ток коллектора: 25А
Наличие:
8 шт

Под заказ:
40 шт
Цена от:
от 3 535,70
CM100TX-24S Биполярный транзистор IGBT, 100 А, 1200 В Производитель: Mitsubishi Electric Корпус: Module Конфигурация: Трехфазный инвертер Напряжение коллектор-эмиттер: 1200В Ток коллектора: 100А Максимальная мощность: 750 Вт Входная емкость: 10 нФ Наличие термистора: да
Наличие:
2 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 6 141,97
FF400R12KE3HOSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 400 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: 62 mm
Наличие:
50 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 13 922,94
BSM50GX120DN2BOSA1 Биполярный транзистор IGBT Производитель: Infineon Technologies Напряжение коллектор-эмиттер: 1200В Ток коллектора: 80А Максимальная мощность: 360 Вт
Наличие:
8 шт

Под заказ:
10 шт
Цена от:
от 13 525,86
HFGM150D12AV1 Модуль силовой IGBT 1200В/150A Производитель: ZHEJIANG HUAJING RECTIFIER CO.,LTD Напряжение коллектор-эмиттер: 1200В Ток коллектора: 150А
Наличие:
1 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 4 178,46
FZ2400R17HP4_B29 IGBT модуль 1700B, 2400 А, IHM-B Производитель: Infineon Technologies
Наличие:
0 шт

Под заказ:
2 шт
Цена от:
от 176 062,12
SKIIP23NAB12T4V1 IGBT Module N-CH 1200V 41A 26-Pin Производитель: Semikron Elektronik GmbH Корпус: MiniSKiiP® 3 Напряжение коллектор-эмиттер: 1200В Ток коллектора: 41А
Наличие:
31 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 3 590,96
SKM300GAL12T4 Биполярный транзистор, N-канальный, 1.2 кВ, 422 А Производитель: Semikron Elektronik GmbH Корпус: SEMITRANS® 3 Напряжение коллектор-эмиттер: 1200В Ток коллектора: 422А
Наличие:
12 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 9 334,88
IKW08T120FKSA1 Транзистор биполярный с изолированным затвором низкая потеря встроенный диод 1200В 8А Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200V Макс. ток коллектора: 8A
Наличие:
236 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 258,87
GD100HFU120C1S IGBTмодуль 1200V, 100A 2 in one-package Производитель: STARPOWER Semiconductor Ltd.
Наличие:
3 шт

Под заказ:
56 шт
Цена от:
от 4 095,47