galaxy

Фильтр
  • Спецпредложения
  • Новинки
galaxy (189)
BC857C Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.1 А Производитель: Galaxy Microelectronics Co.,Ltd Корпус: SOT-23 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В
Наличие:
1 214 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
198 910 шт
Цена от:
от 0,79
1N5817 Диод Шоттки 20В 1A Производитель: Galaxy Microelectronics Co.,Ltd Корпус: DO-41 Обратное напряжение (макс.): 20В Средний прямой ток:
Наличие:
1 199 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
35 907 шт
Цена от:
от 1,01
BAS70-05 Диод Шоттки х2 70V 0.07A 0.41V общ. катод Производитель: Galaxy Microelectronics Co.,Ltd Корпус: SOT-23
Наличие:
1 178 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
10 269 шт
Цена от:
от 1,21
BZX84C15 Стабилитрон 0.3Вт 15В Производитель: Galaxy Microelectronics Co.,Ltd Корпус: SOT-23 Напряжение стабилизации: 15В Отклонение: ±6% Макс. рассеиваемая мощность: 350мВт Динамическое сопротивление: 30Ом Обратный ток утечки: 50нА при 10.5В Рабочая температура: -55°C .... 150°C
Наличие:
1 171 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
53 771 шт
Цена от:
от 0,96
S3M Диод выпрямительный общего применения 1000В 3А Производитель: Galaxy Microelectronics Co.,Ltd Корпус: SMC (DO-214AB) Тип диода: стандартный Максимальное обратное напряжение (Vr): 1000В (1кВ) Средний прямой ток (Io): 3A Максимальное прямое напряжение (Vf) при токе If: 1.2В при 3A Быстродействие: стандартное, => 500нс, при токе > 200мА Время восстановления (trr): 2.5 мкс Ток утечки при Vr: 5 мкА при 1000В Емкость при Vr на частоте F: 60пФ при 4В, на 1МГц
Наличие:
1 165 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
40 039 шт
Цена от:
от 11,88
1.5KE24A Ограничитель напряжения Р=1500Вт U=24В однонаправленный Производитель: Galaxy Microelectronics Co.,Ltd Корпус: DO-201 Рабочее напряжение, В: 20.5V Напряжение пробоя, В: 22.8V Напряжение фиксации, В: 42.8V Пиковый ток перегрузки, А: 234A (8/20 µs) Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 1500W (1.5kW)
Наличие:
1 163 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 11,11
MB8S Диодный мост 0.5А 800В Производитель: Galaxy Microelectronics Co.,Ltd Корпус: MB-S Тип диода: Однофазный Макс. обратное напр.: 800V Макс. прямой ток: 0.5A Тип монтажа: Поверхностного монтажа
Наличие:
1 089 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
860 шт
Цена от:
от 5,59
ES2D Диод импульсный 200В 2А 20нс Производитель: Galaxy Microelectronics Co.,Ltd Корпус: SMB (DO-214AA) Тип диода: стандартный Максимальное обратное напряжение (Vr): 200В Средний прямой ток (Io): 2A Максимальное прямое напряжение (Vf) при токе If: 900мВ при 2A Быстродействие: повышенное, =< 500нс, при токе > 200мА Время восстановления (trr): 20нс Ток утечки при Vr: 10 мкА при 200В Емкость при Vr на частоте F: 18пФ при 4В, на 1МГц
Наличие:
1 072 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
72 861 шт
Цена от:
от 6,16
BAS16 Диод выпрямительный общего применения 100В 0.215А Производитель: Galaxy Microelectronics Co.,Ltd Корпус: SOT-23 Тип диода: стандартный Максимальное обратное напряжение (Vr): 85В Средний прямой ток (Io): 200мА Максимальное прямое напряжение (Vf) при токе If: 1.25В при 150мА Быстродействие: не нормируется, при токе =< 200мА Время восстановления (trr): 6нс Ток утечки при Vr: 1 мкА при 75В Емкость при Vr на частоте F: 2пФ при 0В, на 1МГц
Наличие:
1 046 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
1 092 366 шт
Цена от:
от 0,98
1N4761A (75V) Стабилитрон 1.0Вт 75В Производитель: Galaxy Microelectronics Co.,Ltd Корпус: DO-41 Напряжение стабилизации: 75В Макс. рассеиваемая мощность: 1.0Вт
Наличие:
985 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 3,02
BC847C Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А Производитель: Galaxy Microelectronics Co.,Ltd Корпус: SOT-23 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Коэффициент усиления hFE: 420-800
Наличие:
971 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
343 000 шт
Цена от:
от 0,84
P6KE6.8CA Ограничитель напряжения Р= 600Вт U=6.8В двунаправленный Производитель: Galaxy Microelectronics Co.,Ltd Корпус: DO-15 Рабочее напряжение, В: 5.8V Напряжение пробоя, В: 6.45V Напряжение фиксации, В: 10.5V Пиковый ток перегрузки, А: 58.1A Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 600W
Наличие:
957 шт

Под заказ:
100 шт
Аналоги:
5 693 шт
Цена от:
от 8,36
BC848C Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 0.1 А Производитель: Galaxy Microelectronics Co.,Ltd Корпус: SOT-23 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30 В Коэффициент усиления hFE: 420...800
Наличие:
943 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 0,92
GBU4K Диодный мост 4А 800В Производитель: Galaxy Microelectronics Co.,Ltd Корпус: GBU Тип диода: Однофазный Макс. обратное напр.: 800V Макс. прямой ток: 4A Тип монтажа: Монтаж в отверстия
Наличие:
931 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 46,59
KBU8M Диодный мост 8А 1000В Производитель: Galaxy Microelectronics Co.,Ltd Корпус: KBU Тип диода: Однофазный Макс. обратное напр.: 1000V Макс. прямой ток: 8A Тип монтажа: Монтаж в отверстия
Наличие:
914 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
5 962 шт
Цена от:
от 43,49