darlington

Фильтр
  • Спецпредложения
  • Новинки
darlington (96)
TLP627-2(F) Оптопара с транзисторным выходом x2 5000 Vrms Производитель: Toshiba Semiconductor Корпус: DIP-8 Число каналов: 2 Тип выхода: Darlington Макс. выходное напряжение: 300V Выходной ток на канал: 150mA Напряжение изоляции: 5000Vrms Мин. к-т передачи тока: 1000% @ 1mA Тип входа: DC Напр. насыщения на выходе макс.: 1.2V Время вкл./выкл.: 50 µs, 15 µs
Наличие:
3 749 шт

Под заказ:
1 197 шт
Цена от:
от 88,69
6N138-L Оптопара транзисторная, 5кВ, 1.6мА 100мВт Кус=400...2500% -20...+85C Производитель: Lite-ON Technology Corp Корпус: DIP-8 Число каналов: 1 Тип выхода: Darlington with Base Макс. выходное напряжение: 7V Выходной ток на канал: 50mA Напряжение изоляции: 5000Vrms Мин. к-т передачи тока: 300% @ 1.6mA Тип входа: DC Время вкл./выкл.: 1.6 µs, 10 µs
Наличие:
477 шт

Под заказ:
4 961 шт
Цена от:
от 23,65
PS2733-1-F3-A Оптопара Дарлингтона, 1 канал, коэф.передачи=1500…4000%, Iпр=50мА, Uкэ=300В, Uизол=2500В AC, 4-pin SOP, -55…+100°C Производитель: RENESAS Electronics Corp. Корпус: SOP4 Число каналов: 1 Тип выхода: Darlington Макс. выходное напряжение: 350V Выходной ток на канал: 150mA Напряжение изоляции: 2500Vrms Мин. к-т передачи тока: 1500% @ 1mA Тип входа: DC Напр. насыщения на выходе макс.: 1V
Наличие:
385 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 36,92
TLP627(F) Оптопара с транзисторным выходом x1 5000 Vrms Производитель: Toshiba Semiconductor Корпус: DIP-4 Число каналов: 1 Тип выхода: Darlington Макс. выходное напряжение: 300V Выходной ток на канал: 150mA Напряжение изоляции: 5000Vrms Мин. к-т передачи тока: 1000% @ 1mA Тип входа: DC Напр. насыщения на выходе макс.: 1.2V Время вкл./выкл.: 50 µs, 15 µs
Наличие:
6 532 шт

Под заказ:
300 шт
Цена от:
от 31,98
LTV-815S-TA1 Оптоизолятор 5кВ с транзистором Дарлингтона 4-SMD Производитель: Lite-ON Technology Corp Корпус: SMDIP-4 Число каналов: 1 Тип выхода: Darlington Макс. выходное напряжение: 35V Выходной ток на канал: 80mA Напряжение изоляции: 5000Vrms Мин. к-т передачи тока: 600% @ 1mA Тип входа: DC Напр. насыщения на выходе макс.: 1V
Наличие:
1 025 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
126 шт
Цена от:
от 12,83
ULN2003APG Набор ключей (сборки транзисторов Дарлингтона) x 7 50V 0.35A Interfaces: 5V TTL, CMOS Производитель: Toshiba Semiconductor Корпус: DIP16
Наличие:
257 шт

Под заказ:
20 шт
Цена от:
от 41,51
КТ829А Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 8 А, 60 Вт Производитель: Кремний, Брянск Корпус: TO-220 Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Мощность Макс.: 60 Вт Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 4 МГц
Наличие:
4 985 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 38,59
BD677 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 60 В, 4 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-126 Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 4 А Мощность Макс.: 40 Вт Коэффициент усиления hFE: 750 Тип монтажа: Сквозной
Наличие:
1 230 шт

Под заказ:
2 295 шт
Цена от:
от 17,81
КТ829Б Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 80 В, 8 А, 60 Вт Производитель: Кремний, Брянск Корпус: TO-220 Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 8 А Мощность Макс.: 60 Вт Тип монтажа: Сквозной
Наличие:
299 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 61,19
КТ852А Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2.5 А, 50 Вт Производитель: Кремний, Брянск Корпус: TO-220 Тип транзистора: PNP, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 2.5 А Мощность Макс.: 50 Вт Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 7 МГц
Наличие:
262 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 41,54
BD678 Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 60 В, 4 А Производитель: ST Microelectronics Тип транзистора: PNP, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 4 А Мощность Макс.: 40 Вт Коэффициент усиления hFE: 750 Тип монтажа: Сквозной
Наличие:
251 шт

Под заказ:
416 шт
Цена от:
от 31,52
КТ852Б Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 80 В, 2.5 А, 50 Вт Производитель: Кремний, Брянск Корпус: TO-220 Тип транзистора: PNP, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 2.5 А Мощность Макс.: 50 Вт Тип монтажа: Сквозной
Наличие:
173 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 62,29
КТ896А Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 80 В, 20 А, 125 Вт Производитель: Кремний, Брянск Корпус: TO218 Тип транзистора: PNP, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 20 А Мощность Макс.: 125 Вт Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 4 МГц
Наличие:
92 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 103,33
BCV49,115 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 60 В, 0.5 А, 1.3 Вт Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 1.3 Вт Коэффициент усиления hFE: 10000 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 220 МГц
Наличие:
83 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 19,37
КТ825Г Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 70 В, 20 А, 125 Вт Производитель: Кремний, Брянск Корпус: TO-3 Тип транзистора: PNP, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 70 В Ток коллектора Макс.: 20 А Мощность Макс.: 125 Вт Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 3 МГц
Наличие:
74 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 720,93