IRG4PH50SPBF, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 33 А, 200 Вт
Код товара: 88439
Цена от:
1 199,67 руб.
Нет в наличии
Технические параметры
Описание IRG4PH50SPBF
Single IGBT over 21A, Infineon
Optimised IGBTs designed for medium frequency applications with fast response and provide the user with the highest efficiency available. Utilising FRED diodes optimised to provide the best performance with IGBT's
Технология/семейство | gen4 |
Наличие встроенного диода | нет |
Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 |
Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 57 |
Импульсный ток коллектора (Icm), А | 114 |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.7 |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 200 |
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 32 |
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 845 |
Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 |
Корпус | to-247ac |
Структура | n-канал |
Управляющее напряжение,В | 6 |
Крутизна характеристики, S | 40 |
Вес, г | 7.5 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Калининград
Доставка IRG4PH50SPBF , Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 33 А, 200 Вт
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 807 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 710 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2179 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара