MMBT5551LT1G, Биполярный транзистор, NPN, 180 В, 0.6 А, 0.225 Вт
Цена от:
1,91 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 450+ 900+ 1800+ 3000+3,88 ₽ 3,20 ₽ 2,68 ₽ 2,24 ₽ 1,91 ₽Срок:В наличииНаличие:21Минимум:21Количество в заказ
Внешние склады
-
188+ 194+ 968+ 1935+ 4000+5,78 ₽ 5,60 ₽ 5,33 ₽ 5,24 ₽ 4,93 ₽Срок:7 днейНаличие:4 000Минимум:Мин: 188Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание MMBT5551LT1G
The MMBT5551LT1G is an NPN Silicon High Voltage Transistor designed for requiring unique site and control change requirements. This transistor is PPAP capable and AEC-Q101 qualified.
• Halogen-free
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 180 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 160 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.6 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 80 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.225 |
| Корпус | sot-23 |
| Вес, г | 0.05 |
Полезная информация
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Аналоги и возможные замены
Наличие:
42 591 шт
Под заказ:
37 124 шт
Цена от:
от 0,45₽
Наличие:
18 301 шт
Под заказ:
7 000 шт
Цена от:
от 3,03₽
Наличие:
0 шт
Под заказ:
23 816 шт
Цена от:
от 0,83₽
Наличие:
4 339 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 2,07₽
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка MMBT5551LT1G , Биполярный транзистор, NPN, 180 В, 0.6 А, 0.225 Вт
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара