MMBT5551LT1G, Биполярный транзистор, NPN, 180 В, 0.6 А, 0.225 Вт
Код товара: 83129
Цена от:
1,62 руб.
Нет в наличии
Технические параметры
Описание MMBT5551LT1G
The MMBT5551LT1G is an NPN Silicon High Voltage Transistor designed for requiring unique site and control change requirements. This transistor is PPAP capable and AEC-Q101 qualified.
• Halogen-free
Структура | npn |
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 180 |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 160 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.6 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 80 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.225 |
Корпус | sot-23 |
Вес, г | 0.05 |
Полезная информация
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Аналоги и возможные замены
MMBT5551 Полный аналог
Биполярный транзистор, NPN, 180 В, 0.6 А, 0.225 Вт
Наличие:
78 924 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 0,79₽
MMBT5551 Полный аналог
Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 0.6 А
Наличие:
0 шт
Под заказ:
34 000 шт
Цена от:
от 1,13₽
MMBT5551 Полный аналог
Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 0.6 А
MMBT5551-7-F Полный аналог
Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 0.6 А
MMBT5551LT3G Полный аналог
Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 0.6 А
MMBT5551-TP Полный аналог
TRANS NPN 160V 0.6A SOT23
Способы доставки в Калининград
Доставка MMBT5551LT1G , Биполярный транзистор, NPN, 180 В, 0.6 А, 0.225 Вт
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 807 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 706 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177 ₽
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара