MMBT5551LT1G, Биполярный транзистор, NPN, 180 В, 0.6 А, 0.225 Вт
Код товара: 83129
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
MMBT5551LT1G
Производитель:
Описание Eng:
NPN 160V 0.6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
3000 шт
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
160 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
225 мВт
Коэффициент усиления hFE:
80
Цена от:
1,62 руб.
Нет в наличии
Технические параметры
Описание MMBT5551LT1G
The MMBT5551LT1G is an NPN Silicon High Voltage Transistor designed for requiring unique site and control change requirements. This transistor is PPAP capable and AEC-Q101 qualified.
• Halogen-free
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 180 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 160 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.6 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 80 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.225 |
| Корпус | sot-23 |
| Вес, г | 0.05 |
Полезная информация
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Аналоги и возможные замены
Наличие:
69 692 шт
Под заказ:
128 318 шт
Цена от:
от 0,60₽
Наличие:
0 шт
Под заказ:
87 000 шт
Цена от:
от 1,14₽
Способы доставки в Калининград
Доставка MMBT5551LT1G , Биполярный транзистор, NPN, 180 В, 0.6 А, 0.225 Вт
в город Калининград
Boxberry
от 15 раб. дней
от 655 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 296 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2224 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
Почта России
от 10 раб. дней
от 720 ₽
СДЭК
от 6 раб. дней
от 747 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара