MMBT5551LT1G, Биполярный транзистор, NPN, 180 В, 0.6 А, 0.225 Вт

Код товара: 83129

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
MMBT5551LT1G
Производитель:
Описание Eng:
NPN 160V 0.6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
3000 шт
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
160 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
225 мВт
Коэффициент усиления hFE:
80

Технические параметры

Тип транзистора

NPN

Напряжение Колл-Эмитт. Макс

160 В

Ток коллектора Макс.

600 мА

Мощность Макс.

225 мВт

Коэффициент усиления hFE

80

Тип монтажа

Поверхностный

Корпус

SOT-23

Вес брутто

0.05 г.

Описание MMBT5551LT1G

The MMBT5551LT1G is an NPN Silicon High Voltage Transistor designed for requiring unique site and control change requirements. This transistor is PPAP capable and AEC-Q101 qualified.

• Halogen-free

Структураnpn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В180
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В160
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0.6
Статический коэффициент передачи тока h21э мин80
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт0.225
Корпусsot-23
Вес, г0.05

Полезная информация

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Аналоги и возможные замены

MMBT5551 Полный аналог Биполярный транзистор, NPN, 180 В, 0.6 А, 0.225 Вт Производитель: Hottech Co. Ltd
Наличие:
78 924 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 0,79
LMBT5551LT1G Полный аналог Производитель: Leshan Radio Company, Ltd
Наличие:
0 шт

Под заказ:
50 447 шт
Цена от:
от 1,32
MMBT5551 Полный аналог Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 0.6 А Производитель: YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO., LTD.
Наличие:
0 шт

Под заказ:
34 000 шт
Цена от:
от 1,13
Акция MMBT5551 Полный аналог Биполярный транзистор, NPN, 180 В, 0.6 А, 0.225 Вт Производитель: Galaxy Microelectronics Co.,Ltd
Акция MMBT5551 Полный аналог Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 0.6 А, 0.35 Вт Производитель: ON Semiconductor
MMBT5551 Полный аналог Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 0.6 А Производитель: Diotec Semiconductor
MMBT5551-7-F Полный аналог Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 0.6 А Производитель: Diodes Incorporated
MMBT5551LT3G Полный аналог Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 0.6 А Производитель: ON Semiconductor
MMBT5551-TP Полный аналог TRANS NPN 160V 0.6A SOT23 Производитель: Micro Commercial Components

Способы доставки в Калининград

Доставка MMBT5551LT1G , Биполярный транзистор, NPN, 180 В, 0.6 А, 0.225 Вт в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 807
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 706
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290
EMS
от 5 раб. дней
от 1481
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.