BD241C, Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 3 А, 40 Вт
Код товара: 82817
Цена от:
25,89 руб.
Нет в наличии
Технические параметры
Описание BD241C
The BD241C is a 100V Silicon NPN Complementary Power Transistor manufactured in planar technology with base island layout. The transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage. Fast switching times and very low saturation voltage resulting in reduced switching and conduction losses.
• Well-controlled hFE parameter for increased reliability
• Collector-base voltage (Vcbo = 100V)
• Emitter-base voltage (Vcbo = 5V)
Структура | npn |
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 115 |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 100 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 3 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 20 |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 3 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 40 |
Корпус | to-220 |
Вес, г | 2.5 |
Полезная информация
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Аналоги и возможные замены
BD241CG Полный аналог
Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 3 А
BD241CTU Полный аналог
Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 3 А
Способы доставки в Калининград
Доставка BD241C , Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 3 А, 40 Вт
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 807 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 706 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177 ₽
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара