SIHB25N50E-GE3, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 26A
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
SIHB25N50E-GE3
Производитель:
Описание Eng:
Power MOSFET N-CH 500V 26A
Тип упаковки:
Tube (туба)
Нормоупаковка:
50 шт
Корпус:
D2PAK-3
Цена от:
271,44 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 4+ 7+ 13+ 26+401,86 ₽ 388,64 ₽ 376,30 ₽ 364,41 ₽ 354,96 ₽Срок:В наличииНаличие:200Минимум:1Количество в заказ
Внешние склады
-
58+ 77+ 1000+285,85 ₽ 278,65 ₽ 271,44 ₽Срок:26 днейНаличие:1 000Минимум:Мин: 58Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание SIHB25N50E-GE3
| Серия | E |
|---|---|
| Вес изделия | 2.200 g |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Время спада | 29 ns |
| Pd - рассеивание мощности | 250 W |
| Время нарастания | 36 ns |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 550 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 26 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 145 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Qg - заряд затвора | 57 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Типичное время задержки выключения | 57 ns |
| Типичное время задержки при включении | 19 ns |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Калининград
Доставка SIHB25N50E-GE3 , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 26A
в город Калининград
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 4631 ₽
Деловые линии
от 16 раб. дней
от 5566 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1574 ₽
Почта России
от 17 раб. дней
от 733 ₽
СДЭК
от 3 раб. дней
от 832 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара