LTE-36B2L-ED, ИК-диод
infrared, 940nm emitting diode in GaAlAs technology with high radiant power
Артикул:
LTE-36B2L-ED
Производитель:
Технические параметры
-
КорпусT1 3/4 (5mm)
-
Нормоупаковка1 шт
-
Вес брутто0.4 г.
Сообщите мне о поступлении товара