IRF640NSPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18А 3.1Вт, 0.15 Ом

Код товара: 77949

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
IRF640NSPBF
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
Тип упаковки:
Tube (туба)
Нормоупаковка:
50 шт
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
150 мОм
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал

Технические параметры

Напряжение исток-сток макс.

200В

Ток стока макс.

18A

Сопротивление открытого канала

150 мОм

Мощность макс.

150Вт

Тип транзистора

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.

Заряд затвора

67нКл

Входная емкость

1160пФ

Тип монтажа

Surface Mount

Корпус

D2Pak (TO-263)

Вес брутто

2.02 г.

Описание IRF640NSPBF

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18А 3.1Вт, 0.15 Ом

Полезная информация

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Аналоги и возможные замены

IRF640NSTRLPBF Полный аналог Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18А 150Вт Производитель: Infineon Technologies
Наличие:
32 288 шт

Под заказ:
400 шт
Цена от:
от 39,84
IRF640NSTRRPBF Полный аналог Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18A D2PAK Производитель: Infineon Technologies

Способы доставки в Калининград

Доставка IRF640NSPBF , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18А 3.1Вт, 0.15 Ом в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 900
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 797
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2524
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290
EMS
от 5 раб. дней
от 1481
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.