IRF630NSPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9.3А 3.1Вт, 0.3 Ом

Код товара: 77740

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
IRF630NSPBF
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
Тип упаковки:
Tube (туба)
Нормоупаковка:
50 шт
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
9.3A
Сопротивление открытого канала:
300 мОм
Мощность макс.:
82Вт
Тип транзистора:
N-канал

Технические параметры

Напряжение исток-сток макс.

200В

Ток стока макс.

9.3A

Сопротивление открытого канала

300 мОм

Мощность макс.

82Вт

Тип транзистора

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.

Заряд затвора

35нКл

Входная емкость

575пФ

Тип монтажа

Surface Mount

Корпус

D2Pak (TO-263)

Вес брутто

1.35 г.

Описание IRF630NSPBF

Структураn-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А9.3
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.3 ом при 5.4a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт82
Крутизна характеристики, S4.9
Корпусd2pak
Пороговое напряжение на затворе2…4
Вес, г2.5

Полезная информация

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Аналоги и возможные замены

IRF630NSTRLPBF Полный аналог Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9.3А 82Вт Производитель: Infineon Technologies
Наличие:
507 шт

Под заказ:
1 000 шт
Цена от:
от 85,35

Способы доставки в Калининград

Доставка IRF630NSPBF , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9.3А 3.1Вт, 0.3 Ом в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 807
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 706
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290
EMS
от 5 раб. дней
от 1481
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.