IRG4PC50UDPBF, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 55 А, 200 Вт
Код товара: 76822
Цена от:
202,76 руб.
Нет в наличии
Технические параметры
Описание IRG4PC50UDPBF
Co-Pack IGBT over 21A, Infineon
Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of applications and can support various switching frequencies thanks to low switching losses.
Технология/семейство | gen4 |
Наличие встроенного диода | да |
Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 |
Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 55 |
Импульсный ток коллектора (Icm), А | 220 |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2 |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 200 |
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 46 |
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 140 |
Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 |
Корпус | to-247ac |
Структура | n-канал+диод |
Управляющее напряжение,В | 6 |
Крутизна характеристики, S | 24 |
Вес, г | 7.5 |
Полезная информация
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Аналоги и возможные замены
Наличие:
90 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 585,33₽
STGW35HF60WDA Полный аналог
Биполярный транзистор IGBT, 100 КГц, 35 А, 600 В
Способы доставки в Калининград
Доставка IRG4PC50UDPBF , Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 55 А, 200 Вт
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 769 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 708 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177 ₽
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 4 раб. дней
от 1363 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара