IRG4PC50UDPBF, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 55 А, 200 Вт
Код товара: 76822
Цена от:
11 488,14 руб.
Внешние склады
-
1+ 2+ 10+ 46+12 316,08 ₽ 12 005,58 ₽ 11 695,08 ₽ 11 488,14 ₽Срок:27 днейНаличие:2 337Минимум:Мин: 1Количество в заказ
-
1+ 2+ 9+ 2337+12 624,78 ₽ 12 306,48 ₽ 11 988,24 ₽ 11 776,02 ₽Срок:29 днейНаличие:2 337Минимум:Мин: 1Количество в заказ
Количество: 0 шт.
Стоимость: 0,00 ₽
Технические параметры
Описание IRG4PC50UDPBF
Co-Pack IGBT over 21A, Infineon
Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of applications and can support various switching frequencies thanks to low switching losses.
Технология/семейство | gen4 |
Наличие встроенного диода | да |
Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 |
Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 55 |
Импульсный ток коллектора (Icm), А | 220 |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2 |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 200 |
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 46 |
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 140 |
Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 |
Корпус | to-247ac |
Структура | n-канал+диод |
Управляющее напряжение,В | 6 |
Крутизна характеристики, S | 24 |
Вес, г | 7.5 |
Полезная информация
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Аналоги и возможные замены
Наличие:
80 шт
Под заказ:
654 шт
Цена от:
от 280,50₽
Способы доставки в Калининград
Доставка IRG4PC50UDPBF , Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 55 А, 200 Вт
в город Калининград
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 288 ₽
Деловые линии
от 16 раб. дней
от 2227 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1548 ₽
Почта России
от 12 раб. дней
от 720 ₽
СДЭК
от 5 раб. дней
от 743 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара