IRF640NPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18А 150Вт, 0.15 Ом
Код товара: 69996
Цена от:
28,15 руб.
-
1+ 250+ 500+ 950+ 1900+38,27 ₽ 34,99 ₽ 32,46 ₽ 30,75 ₽ 29,27 ₽Срок:В наличииНаличие:12 996Минимум:8Количество в заказ
-
1+ 250+ 500+ 950+ 1900+38,27 ₽ 34,99 ₽ 32,46 ₽ 30,75 ₽ 29,27 ₽Срок:В наличииНаличие:71Минимум:8Количество в заказ
-
1+ 250+ 500+ 950+ 1900+38,27 ₽ 34,99 ₽ 32,46 ₽ 30,75 ₽ 29,27 ₽Срок:В наличииНаличие:706Минимум:1Количество в заказ
-
254+ 425+ 845+30,42 ₽ 29,92 ₽ 28,15 ₽Срок:6 днейНаличие:850Минимум:Мин: 254Количество в заказ
-
100+ 199+ 397+ 1984+68,00 ₽ 63,69 ₽ 59,91 ₽ 58,83 ₽Срок:7 днейНаличие:2 700Минимум:Мин: 100Количество в заказ
-
1000+80,46 ₽Срок:10 днейНаличие:1 000Минимум:Мин: 1 000Количество в заказ
Технические параметры
Описание IRF640NPBF
IRF640NPBF от компании International Rectifier является N-канальным силовым МОП-транзистором HEXFET 200В в корпусе TO-220AB. Данная особенность МОП-транзистора обеспечивает очень низкое сопротивление в активном состоянии, динамический dv/dt, быстрой процесс переключения и лавинные характеристики. Поэтому силовые МОП-транзисторы широко используются в устройствах для обеспечения высокой эффективности и надежности.
• Напряжение сток-исток (Vds) 200В
• Напряжение затвор-исток ±20В
• Сопротивление в активном состоянии 150мОм
• Рассеиваемая мощность Pd 150Вт при 25°C
• Непрерывный ток стока 18А при Vgs 10В и 25°C
• Диапазон рабочей температуры перехода от -55°C до 175°C
Структура | n-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 18 |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.15 ом при 11a, 10в |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 150 |
Крутизна характеристики, S | 6.8 |
Корпус | to220ab |
Пороговое напряжение на затворе | 2…4 |
Вес, г | 2.5 |