IRF7314TRPBF, Сборка из полевых транзисторов, P-канальный, 20 В, 5.3 А, 2 Вт, 0.058 Ом
MOSFET P-CH Si 20V 5.3A 8-Pin SOIC T/R
Сборка из полевых транзисторов, P-канальный, 20 В, 5.3 А, 2 Вт, 0.058 Ом
Сборка из полевых транзисторов, P-канальный, 20 В, 5.3 А, 2 Вт, 0.058 Ом
Артикул:
IRF7314TRPBF
Производитель:
Документы:
Технические параметры
-
КорпусSOIC8
-
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
-
Нормоупаковка4000 шт
-
Вес брутто0.73 г.
-
Тип транзистора
-
Особенности
-
Максимальное напряжение сток-исток
-
Маскимальный ток стока
-
Максимальная рассеиваемая мощность
Полезная информация
Описание IRF7314TRPBF
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность DUAL P, Максимальное напряжение сток-исток 20 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 5.3 А, Сопротивление открытого канала (мин) 58 мОм
Максимальная рабочая температура | +150 °C |
Максимальный непрерывный ток стока | 5,3 А |
Тип корпуса | SOIC |
Максимальное рассеяние мощности | 2 Вт |
Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
Ширина | 4мм |
Высота | 1.5мм |
Размеры | 5 x 4 x 1.5мм |
Материал транзистора | Кремний |
Количество элементов на ИС | 2 |
Длина | 5мм |
Transistor Configuration | Изолированный |
Типичное время задержки включения | 15 нс |
Производитель | Infineon |
Типичное время задержки выключения | 42 ns |
Серия | HEXFET |
Минимальная рабочая температура | -55 °C |
Maximum Gate Threshold Voltage | 0.7V |
Minimum Gate Threshold Voltage | 0.7V |
Максимальное сопротивление сток-исток | 98 мΩ |
Максимальное напряжение сток-исток | 20 V |
Число контактов | 8 |
Категория | Мощный МОП-транзистор |
Типичный заряд затвора при Vgs | 19 nC @ 4.5 V |
Номер канала | Поднятие |
Типичная входная емкость при Vds | 780 pF @ -15 V |
Тип канала | A, P |
Максимальное напряжение затвор-исток | -12 V, +12 V |
Вес, г | 0.15 |
Полные аналоги
-
IRF7314PBF MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8-SOIC, 2WINFSO-8
Сообщите мне о поступлении товара