IRF7853PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 8.3А 2.5Вт

Код товара: 67578

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
IRF7853PBF
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R
Тип упаковки:
Tube (туба)
Нормоупаковка:
95 шт
Корпус:
SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
8.3A
Сопротивление открытого канала:
18 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал

Технические параметры

Напряжение исток-сток макс.

100В

Ток стока макс.

8.3A

Сопротивление открытого канала

18 мОм

Мощность макс.

2.5Вт

Тип транзистора

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.

4.9В

Заряд затвора

39нКл

Входная емкость

1640пФ

Тип монтажа

Surface Mount

Вес брутто

0.2 г.

Описание IRF7853PBF

Характеристики

Структураn-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А8.3
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм18
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт2.5
Крутизна характеристики, S11
Корпусso8
Пороговое напряжение на затворе3…4.9

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Аналоги и возможные замены

IRF7853TRPBF Полный аналог Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 8.3A 8-SOIC Производитель: Infineon Technologies
Наличие:
2 024 шт

Под заказ:
8 000 шт
Цена от:
от 59,66
JMSL1018AP-13 Функциональный аналог Транзистор полевой MOSFET силовой 100В 8A 15.8мОм N-канальный Производитель: Jiangsu JieJie Microelectronics Co., Ltd.

Способы доставки в Калининград

Доставка IRF7853PBF , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 8.3А 2.5Вт в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 832
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 767
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290
EMS
от 5 раб. дней
от 1481
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.