IRFD110PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.0А 1.3Вт, 0.54 Ом

Код товара: 66314

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
IRFD110PBF
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP
Тип упаковки:
Tube (туба)
Нормоупаковка:
100 шт
Корпус:
DIP-4
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
1A
Сопротивление открытого канала:
540 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
N-канал

Технические параметры

Напряжение исток-сток макс.

100В

Ток стока макс.

1A

Сопротивление открытого канала

540 мОм

Мощность макс.

1.3Вт

Тип транзистора

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.

Заряд затвора

8.3нКл

Входная емкость

180пФ

Тип монтажа

Through Hole

Корпус

DIP-4

Вес брутто

0.57 г.

Описание IRFD110PBF

N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor

Структураn-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А1
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.54 ом при 0.6a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт1.3
Крутизна характеристики, S0.8
КорпусHVMDIP
Пороговое напряжение на затворе4
Вес, г0.6

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Калининград

Доставка IRFD110PBF , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.0А 1.3Вт, 0.54 Ом в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 832
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 767
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290
EMS
от 5 раб. дней
от 1481
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.