IRF7301TRPBF, Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 5.2 А

Код товара: 66288

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
IRF7301TRPBF
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
4000 шт
Корпус:
SOIC8
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
20 В
Маскимальный ток стока:
5.2 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
2 Вт
Показать аналоги

Технические параметры

Тип транзистора

2N-канальный

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Маскимальный ток стока

5.2 А

Максимальная рассеиваемая мощность

2 Вт

Корпус

SOIC8

Вес брутто

0.23 г.

Описание IRF7301TRPBF

The IRF7301TRPBF is a dual N-channel MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device. The HEXFET Power MOSFET is extremely efficient device for use in a wide variety of applications. The SO-8 has been modified through a customized lead-frame for enhanced thermal characteristics and dual-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space.

• Generation V technology
• Ultra low ON-resistance
• Surface-mount device
• Dynamic dV/dt rating
• Fast switching performance

Максимальная рабочая температура+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока5,2 А
Тип корпусаSOIC
Максимальное рассеяние мощности2 Вт
Тип монтажаПоверхностный монтаж
Ширина4мм
Высота1.5мм
Размеры5 x 4 x 1.5мм
Материал транзистораКремний
Количество элементов на ИС2
Длина5мм
Transistor ConfigurationИзолированный
Типичное время задержки включения9 нс
ПроизводительInfineon
Типичное время задержки выключения32 нс
СерияHEXFET
Минимальная рабочая температура-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage0.7V
Minimum Gate Threshold Voltage0.7V
Максимальное сопротивление сток-исток70 мОм
Максимальное напряжение сток-исток20 V
Число контактов8
КатегорияМощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs20 нКл при 4,5 В
Номер каналаПоднятие
Типичная входная емкость при Vds660 pF @ 15 V
Тип каналаN
Максимальное напряжение затвор-исток-12 V, +12 V
Вес, г0.15

Полезная информация

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Аналоги и возможные замены

IRF7301PBF Полный аналог Сборка из полевых транзисторов, N-канальный, 20 В, 5.2 А,2 Вт,0.05 Ом Производитель: Infineon Technologies
Наличие:
1 691 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 39,36
IRF7301TRPBF Полный аналог Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 5.2 А Производитель: VBsemi Semiconductor (Taiwan) Co., Ltd.

Способы доставки в Калининград

Доставка IRF7301TRPBF , Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 5.2 А в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 900
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 797
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2524
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 5 раб. дней
от 1481
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.