IRF620PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 5.2А 50Вт, 0.8 Ом
Код товара: 66284
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IRF620PBF
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Тип упаковки:
Tube (туба)
Нормоупаковка:
50 шт
Корпус:
TO-220 Isolated Tab
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
5.2A
Сопротивление открытого канала:
800 мОм
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
N-канал
Цена от:
26,80 руб.
Нет в наличии
Технические параметры
Описание IRF620PBF
The IRF620PBF is a third generation N-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The package is universally preferred for power dissipation levels to approximately 50W. The low thermal resistance of the package contributes to its wide acceptance throughout the industry.
• Dynamic dV/dt rating
• Repetitive avalanche rated
• Ease of paralleling
• Simple drive requirements
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5.2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.8 ом при 3.1a, 10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 40 |
| Крутизна характеристики, S | 1.5 |
| Корпус | to220ab |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 |
| Вес, г | 2.5 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
IRF620-Vishay.pdfСпособы доставки в Калининград
Доставка IRF620PBF , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 5.2А 50Вт, 0.8 Ом
в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761 ₽
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670 ₽
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 4 раб. дней
от 1363 ₽
СДЭК
от 12 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара