IRF7341PBF, Сборка из полевых транзисторов, N-канальный, 55 В, 4.7 А, 2 Вт, 0.05 Ом

Код товара: 65855

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
IRF7341PBF
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC Tube
Тип упаковки:
Tube (туба)
Нормоупаковка:
95 шт
Корпус:
SO-8
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
55 В
Маскимальный ток стока:
4.7 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
2 Вт

Технические параметры

Тип транзистора

2N-канальный

Максимальное напряжение сток-исток

55 В

Маскимальный ток стока

4.7 А

Максимальная рассеиваемая мощность

2 Вт

Вес брутто

0.16 г.

Описание IRF7341PBF

Характеристики

Структура2n-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А4.7
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм50
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт2
Крутизна характеристики, S7.9
Корпусso8
Пороговое напряжение на затворе1

Полезная информация

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Аналоги и возможные замены

IRF7341TRPBF Полный аналог Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 55 В, 4.7 А, 2 Вт Производитель: Infineon Technologies
Наличие:
38 819 шт

Под заказ:
18 915 шт
Цена от:
от 19,75
Новинка IRF7341TRPBF Полный аналог Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 55 В, 4.7 А, 2 Вт Производитель: Hottech Co. Ltd

Способы доставки в Калининград

Доставка IRF7341PBF , Сборка из полевых транзисторов, N-канальный, 55 В, 4.7 А, 2 Вт, 0.05 Ом в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 832
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 767
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 5 раб. дней
от 1481
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.